如上，理想二极管驱动芯片LM74700-Q1的典型应用图，带负载的能力由外置的MOS决定，但是该MOS是否能驱动大电流呢？
比如说我选了个N-MOS：BUK7J1R0-40H，参数如下图所示。是否这个电路就可以带50A的负载呢？
按照正常的工作逻辑，LM74700-Q1工作时，是外部的体二极管先导通，然后MOS管才通道，那么MOS管导通稍微慢一点，是没有很大的影响的。
虽然LM74700-Q1对外置N-MOS的驱动能力很弱，但是这种应用不属于PWM型，属于开关型，就是上电的时候打开，下电的时候关断，不会频繁开关。那么N-MOS开通时间长一点，似乎没什么影响。
不知道我以上的理解对不对？
那为什么有的人说，用LM74700-Q1做驱动时，不适合带大电流的负载？
