您好,
想咨询下:
1.全分口时,芯片是否具有充电器防反接功能;是否会打坏充电器?
2.在设计外部均衡时发现,内部集成MOS的RDSon为25R,而线上Rn电阻取值最大为100R,均衡开启时导致内部MOS发热严重,在不限制同时均衡数量的情况下,请问是否有解决办法;
1:它没有针对反向电池的保护,没有针对反向电池保护的参考设计,如果超过充电器的工作范围,那就有打坏的可能。
2:建议如下
优化电路设计: 可以通过重新设计电路板布局,降低线上Rn电阻的取值,从而减小整个回路的电阻值,降低发热量。同时,也可以考虑增加散热措施,如加入散热器或风扇等,以提高散热效率。
调整均衡策略: 如果不限制同时均衡的数量,那么可以考虑调整均衡策略,如降低均衡电流、增加均衡时间间隔等,以减小MOS管的发热量。