(PCB的布局图)
原理图如上,参考原理图 设计了6节锂电池的充电系统(电压25.2) 使用了简化的原理图,没有使用DPM功能 考虑二极管有压降的情况 将输入二极管替换成了mos
输入12-24V的时候 系统没有正常输出, 测量P12两端时, 电压只有0.2V 测量REF-(10脚) 电压约 0.3V
当输入电压高于25.2V 芯片1 脚附近被瞬间击穿,
想问下 是什么原因导致的?
是否是设计异常?
(PCB的布局图)
原理图如上,参考原理图 设计了6节锂电池的充电系统(电压25.2) 使用了简化的原理图,没有使用DPM功能 考虑二极管有压降的情况 将输入二极管替换成了mos
输入12-24V的时候 系统没有正常输出, 测量P12两端时, 电压只有0.2V 测量REF-(10脚) 电压约 0.3V
当输入电压高于25.2V 芯片1 脚附近被瞬间击穿,
想问下 是什么原因导致的?
是否是设计异常?