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关于BQ24620充电发热烧毁IC问题

Other Parts Discussed in Thread: CSD18504Q5A, CSD17573Q5B, BQ24620, CSD18503Q5A, LM5122

各位前辈,我是初次使用BQ24620来做充电管理,前级输入是9-12.6V,用LM5122来做Boost到18V,后面用BQ24620来做充电管理,限制在14.5V/7A,目前遇到的问题是其他功能都很稳定,就是BQ24620发热严重,铅酸电池一次没有充满IC就会烧毁。   我咨询过FAE,说是Qg过大导致。  不过我换成AO的4304 SO-8封装来带载7A就可以,只是MOS发热大一些。  但是用QM3018D TO252 Qg=13.8nC Rds=3.8mR、TI的CSD18504Q5A QFN5*6  Qg(4.5V)=7.7nC Rds(4.5V)=7.5mR,CSD18503Q5A QFN5*6,CSD17573Q5B QFN5*6都是发热很厉害。请问各位有没有什么解决办法?

 

BQ24620 Schematic Prints.pdf
  • 1、加大IC的敷铜面积,加强散热

    2、驱动到MOS管栅极串联一个驱动电阻加二极管,减缓一下驱动冲击电流,虽然会增大开通速度,但对于降低IC温度有可能会有改善。