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这是BQ24133 datasheet上的电路，Q1、Q2可以实现防反接，请问这个电路的功耗怎样？？
TI又没有单独用来实现理想二极管的芯片，LM5050测试过，在1A的时候都有0.3V的电压，这个电压太大了，如果再大，功耗更大
亲；该IC即为同步控制IC；实现近似理想二极管功能。主回路损耗由你选择的外置MOSFET的RDSON决定，好管有更低的压降和损耗。这个电路里；功率管损耗为2RDSON×I^2。
RDSON为管子的导通体电阻，I为流过电流。因两管串联；所以以两倍计。
转 电池管理
对于小电流的场合，用MOS取代二极管效率更高，而对于大电流应用，肖特基更高效，评判的标准很简单如XP所言，电流*Rdson是否大于二极管的导通压降
压降的大小取决于你选用的MOS管的内阻，抵押输入你选择低压MOS管，如果你随便上个MOS管，压降当然会大。
