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在MOS管参数中，有Td(on),T(rise),Td(off),T(fall)，这些参数有什么用，以及他们的测试条件。还有二极管的反向恢复时间。在同步降压电路中，应该如何选择这些值。
这是MOSFET开关特性描述参数。这类数据；每个公司的测试条件不同；建议数据表里说明。
至于二极管反向恢复时间测量；目前没有统一标准，数据表里的值多不能直接用。建议多关注MOSFET在85C下的反向恢复特性。对于这个参数选择；需以工作频率和效率要求而定。你大体是咋样的工况？
我18V输入，1.1V输出，效率希望在95%以上，300K或者500K的工作频率。求回复
你可以结合你的电流规格以及你上面提到电压的规格考虑D、S的耐压Vds和continuous drain current的电流Id及他们的降额，再初步地选择一个Qg和Rdson，按照以下文档初步地计算出电路的损耗，迭代验证使之满足损耗小于5%的要求。
损耗计算文档- www.ti.com/.../slpa009a.pdf
请确认你的规格书，18V输入，1.1输出，300k以上的频率，效率95％以上。个人觉得很有难度
95%1.1V出多少电流？
As to the MOSFET parameters, may this paper will help you.
"Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits"
Td(on)为开通延迟时间，T(rise)为上升时间，Td(off)为关断延迟时间，T(fall)为下降时间。这些具体的参数的意义及作用，可以在电力电子的教科书中查到。比如王兆安的 电力电子技术中第一章的电力场效应晶体管的。
