TPS61196-Q1: 不能启动

你好！可以详细的描述下你的问题。

我们使用了IFB1和IFB2两个通道，第一次上电看到LED亮了一下，然后后面就没亮过了，测量BOE_LED+为12V与输入电压一样。REF电压在4V左右，FAULT电平为低。GDRV在输出占空比很小的开关波形，VDD电压为5.91V。想请教下该怎么排查这个问题，原理图有没有问题？

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FRANK你好，我根据您提供的参考板修改了还是无法BOOST到目标电压。我们输入电压是12V，我抓了两张波形，其中一张是放大的，CH1测试的SW点（TP2）波形，CH2测试的D1阴极输出位置，CH3测试的GDRV的波形。

从结果看，VO没有升压效果，看起来和输入电压一样。从CH1波形中看SW位置在NMOS开通瞬间电压为9V左右，没有被拉低到接近0V或者1V~2V.而且功耗很大，工作一段时间就会把NMOS烧坏。

请教一下这大概会是什么原因导致的？您有遇到过这样的案例吗？

关于你的咨询，检查电感、电容和MOSFET的选择是否合适。
芯片是不是触发保护机制，导致输出电压无法升压。
如果NMOS频繁烧坏，可能是由于过流或过压导致的。检查电路中的保护机制是否有效。

感谢解答，我的问题解决了，主要是二极管反向恢复太慢，导致MOS和0.1ohm电阻上有大电流触发过流保护以及烧毁这两颗器件，目前更换为快恢复二极管解决了。