LM5060: 输出短路后外接MOS管烧毁

您好

‌在您的LM5060电路中，输出短路后外接MOS管烧毁的问题可能由多个因素导致‌。以下是一些建议，希望能帮助您解决这个问题：

1. ‌检查短路保护机制‌：

   • 既然在输出过流后电路能够正常提供保护，但在使用镊子短路电路的输出极后MOS管仍然损坏，这可能意味着短路保护机制在某些情况下未能及时或有效地切断电流。建议仔细检查短路保护的设计和实现，确保其能够在所有短路情况下迅速响应并切断电流‌。

2. ‌优化MOS管选择‌：

   • 尝试更换更高规格的MOS管并未改善问题，这可能意味着问题不在于MOS管的规格，而在于其使用方式或保护机制。在选择MOS管时，除了考虑其电流和电压规格外，还应考虑其热稳定性、开关速度以及栅极驱动要求等因素‌。

3. ‌检查栅极驱动电路‌：

   • MOS管栅极接有用于快速关断的二极管，这是为了保护MOS管在关断时不受过电压损坏。然而，如果栅极驱动电路设计不当，如驱动电压过高或过低、驱动信号边沿过快或过慢，都可能导致MOS管工作在不稳定的区域，从而引起过热或击穿‌。建议仔细检查栅极驱动电路的设计和实现。

4. ‌加强散热措施‌：

   • MOS管在工作过程中会产生大量的热量，如果散热不良，热量积累可能导致温度急剧上升，最终导致MOS管烧毁。建议加强MOS管的散热措施，如使用散热片、风扇或液冷等‌。

5. ‌考虑使用保护元件‌：

   • 在MOS管前后添加保护元件，如瞬态电压抑制器（TVS）、熔断器或电流限制器等，可以在电路出现异常时迅速切断电流或吸收过电压，从而保护MOS管不受损坏‌。

6. ‌检查Vsen引脚相关电路‌：

   • 您提到VOUT小于Vsen引脚导致nPGD引脚输出高，这可能是Vsen引脚相关电路存在问题。建议检查Vsen引脚的连接是否正确，以及是否有任何元件损坏或参数漂移导致电压比较不准确。