如附件原理图及PCB图,目前调试过程中,无法正常驱动MOSFET,波形如下图:
当不焊接MOSFET时,驱动波形正常(Q5、Q6的G极)
当焊接上MOSFET时,驱动波形变形,如下图:
请问,这个如何解决?
另外,需要帮我们评估一下:
Q1. BQ25756是否必须采用4-6层PCB设计?
Q2. BQ25756的驱动线路最长路径允许多长?
Q3. MOSFET是否必须采用SMD封装?TO-220是否不合适?
如附件原理图及PCB图,目前调试过程中,无法正常驱动MOSFET,波形如下图:
当不焊接MOSFET时,驱动波形正常(Q5、Q6的G极)
当焊接上MOSFET时,驱动波形变形,如下图:
请问,这个如何解决?
另外,需要帮我们评估一下:
Q1. BQ25756是否必须采用4-6层PCB设计?
Q2. BQ25756的驱动线路最长路径允许多长?
Q3. MOSFET是否必须采用SMD封装?TO-220是否不合适?
您好
关于您的问题建议使用以下工具和资料进行完善:
1、官方针对于BQ25756的电路匹配计算器,帮助您完善电路匹配:
https://www.ti.com.cn/tool/cn/download/BQ25756-DESIGN-CALC
2、datasheet中关于布局等指导说明:
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq25756.pdf
datasheet第73页有详细说明。