Hi:
我们在使用CFETOFF&DFETOFF引脚控制FET时发现当禁用FET时,FET的关断速度非常及时,但需要重新启用FET时,往往会有150ms的延迟,请问为何会出现这个延迟,是否能消除这个延迟?
或者通过IIC指令控制是否可以消除延迟?
以下是我们测试时的照片,其中蓝色为CFETOFF,绿色为DCHG
您好
https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhcae26/zhcae26.pdf
我们在使用CFETOFF&DFETOFF引脚控制FET时发现当禁用FET时,FET的关断速度非常及时,但需要重新启用FET时,往往会有150ms的延迟,请问为何会出现这个延迟,是否能消除这个延迟?
请您参考上面链接,说明是存在延迟可以通过相关寄存器来缩短。
另外体二极管的保护时间最快可以达到多少ms/us?
There is not a way to modify the timing you describe. The body diode protection is decided by the firmware. There is a table showing the timing for many events in Table 6-9 of the TRM. The timing for this event is most likely on the 250 ms timer on which the conditions for the FET states are evaluated.