如图中，驱动引脚的高低侧MOS导通阻抗的测试条件中的IDR=0.2A怎么实现的？测试这个指标时，在不关注0.2A这个指标的前提下，我的测试方法是在DR引脚到外部MOS的栅极之间放一个电阻，在电路正常工作时，利用示波器分别获得电阻两端电压波形，根据同一时间两个电压波形的差值，分别求出DR信号为高、低电平时流经电阻的电流，再利用内部高低侧MOS分别接VIN和地的设计，求出高低侧MOS的阻抗。结果如下图：
得到的结果与数据手册的典型值有一定差异，请问这个差异是合理的吗，如果不合理，那么正确的测试方法是什么呢？
