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您好，我目前输入48v13A输出43v 10A,为了改良mos温升问题，在buck部分的上下管进行了并联mos，但是驱动波形异常了，单mos波形比较正常，双mos驱动异常，请各位帮忙看一下啦（芯片驱动电源5v是由外部电源供电，没有用芯片自身的）
您好
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待
你能把电路原理图发给我吗？如果使用7V的外部栅极驱动器，此波形是否会改善？你能把FET的数据表发给我吗？
CHARGER.pdfC467946_场效应管(MOSFET)_SIR680DP-T1-RE3_规格书_VISHAY(威世)场效应管(MOSFET)规格书.PDF
暂时还未尝试，目前准备调整5v-10v外部栅极驱动进行调试
将一个小型陶瓷电容器与C3和C4并联安装。这将有助于滤除转换器中的开关噪声。不过，这不会立即对异常波形有所帮助。REGN和DRV_SUP是否连接到5V电源？如果您仅对HIDRV1使用1个FET，对LODRV1使用一个FET，您是否看到了改善？如果将DRV_SUP增加到7V有帮助，请告诉我。
您好，我对C3，C4并联了陶瓷电容。当仅对HIDRV1使用1个FET，对LODRV1使用一个FET，波形为上面图示中的比较正常的图形，使用双管并联后就变为了异常波形。我将DRV_SUP增加到7V，10v，驱动波形仍旧为异常波形，未见明显改善
当您使用双晶体管时，电路是否超过了CSW（nF）<160/VIN的总开关节点电容限制？
也许你可以在HIDRV1上使用双FET？7V或10V的DRV_SUP是否有助于单个FET的散热和散热？
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