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TPS48111Q1EVM: 打开主回路时候损坏TPS48111芯片

yangtie chen
Prodigy 10 points
Part Number: TPS48111Q1EVM

请问一下我把TPS48111的短路保护去掉了，只保留其过流保护,TMR外接电容大小68nf（Toc=1.02ms），但是现阶段在预充电结束以后，打开主回路MOS会导致TPS48111损坏，损坏现象为：PU&G没有电压输出；

负载电容大概在2mf，主回路MOS的栅极电阻为3.3R，不带负载时候主回路上电时间为20us左右；请问一下这个问题有什么办法解决吗？另外确认一下短路保护能够在20us这么短的时间内进行短路保护吗？

原理图如下

  • 0
    TI__Mastermind 35675 points

    您好，

    已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

  • 0 回复 Taylor
    TI__Mastermind 37260 points

    您好，

         是的，该设备的短路保护仅发生在 1.2 us 内。它将非常快，器件会将 PD 拉低以关闭主 FET。

    如果您不同时使用 INP_G 关闭预充电路径、SCP 事件不会为您拉低、因此我预计这不会为0V。

    您是否正在关闭预充电路径？

    2mF 相当大。在切换到主路径之前，您是否验证了 Vout = Vin？如果它没有正确预充电，它看起来像短路。