使用LM5069设计软起动电路，输入48V30A，在小电流测试过程（12V～62V，0.5A）中NMOS损坏，D极和S极短路，G极和DS电阻１２０Ω，请问可能是什么原因。NMOS使用的是AON6284A ４个并联
MOS是在后级不带负载（仅连接了600uF电容）的测试情况下损坏的，测试电压12~62V，我用表格计算了：
以上第一张图片是现有参数下的SOA，很差，但是我空载（MOS在铝基板上发热也很小）也会造成这样的损坏么？损坏现象是D极和S极短路，G极和DS电阻１２０Ω
我重新选择了另一款MOS并计算了参数如下，请问是否可以解决出现的问题
