nand 的ALE怎么算？

feng wu2

请问evm5517_v1\tests\nandflash这个例程中

擦除操作

// Start erase operation
NANDFLASH_CLE = CMD_ERASE;
NANDFLASH_ALE = (blocknum & 0x0003) << 6;
NANDFLASH_ALE = (blocknum & 0x03fc) >> 2;
NANDFLASH_ALE = (blocknum & 0x0c00) >> 10;
NANDFLASH_CLE = CMD_ERASE_CONFIRM;

中ALE为什么这么算，跟nand芯片的参数怎么结合对应起来？

9 年多前

0 feng wu2 9 年多前

Prodigy 80 points

还有我如果用CS4，当执行完NANDFLASH_CLE = CMD_ERASE;，在地址0x700000+0x2000不应该是0x60吗，为什么我看是全0啊

0 Tony Tang 9 年多前

TI__Guru 64206 points

feng wu2 说：
// Start erase operation
NANDFLASH_CLE = CMD_ERASE;
NANDFLASH_ALE = (blocknum & 0x0003) << 6;
NANDFLASH_ALE = (blocknum & 0x03fc) >> 2;
NANDFLASH_ALE = (blocknum & 0x0c00) >> 10;
NANDFLASH_CLE = CMD_ERASE_CONFIRM;

这里是把block地址（即block号）放入三段地址的过程，对于板子上的这款NAND，block地址是从A15开始，第一个地址周期为A9-A16，所以要把block左移6位，第二步是将第一步的两位掉，填入A17-A24, 第三步是将第一，二步将取走了10位地址去掉，将剩下的地址送出去。

关键在于要知道计算block地址是从第几位开始，下面这个贴子可以读一下：

http://blog.csdn.net/feihuxiaozi/article/details/6943124

0 feng wu2 9 年多前回复 Tony Tang

Prodigy 80 points

非常感谢，已经解决了。

原来我有个误区就是这个ALE我要给的是地址，也就是要算出我想进行读写的页的偏移地址。但是实际不是这样的

这个ALE其实代表的是我要操作的第几块第几页，也就是在擦除的时候ALE就要告诉擦除第几块，而读写的时候ALE要告诉的是第几页。

然后再看对应nand的datasheet中的地址周期的介绍就能很好理解了

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