NOR FLASH烧写启动

shouyi hu 说：

非AIS模式的启动：EMIF NOR FLASH DIRECT模式和EMIF NOR FLASH LEGACY模式，程序入口地址都是固定为0X11800004，

EMIF NOR FLASH DIRECT是从flash直接运行，入口地址显然不是0X11800004，而应该是flash的首地址偏移4字节。

EMIF NOR FLASH LEGACY的入口地址是：0X11800004

shouyi hu 说：

如果使用AIS模式实现NOR FLASH的启动，程序的入口地址是否也是0X11800004呢？

AIS格式启动，对入口地址没有要求，基本上可以是任意地址，除了不要占用ROM bootloader用到的L2 RAM的空间。

shouyi hu 说：

我们在AIS文件中进行了相应的初始化设置，那么如何编写一个烧写的工程实现烧写？

TI提供了烧写工程，自己也可以在其基础上修改满足自己的需要：http://processors.wiki.ti.com/index.php/Serial_Boot_and_Flash_Loading_Utility_for_OMAP-L138

shouyi hu 说：

使用AIS模式是否是不使用二级引导了呢？

不是必需的。

shouyi hu 说：

在烧写的时候，第一个字的配置信息也是我们通过编程写代码写进NOR FLASH的还是在使用AIS文件的时候就已经定义好了呢？

AIS格式文件里已经加进去了，你可以打开转换后的AIS文件看一下第一个字的内容进行确认。

shouyi hu 说：

生成AIS文件后，是不是直接将其写入NOR FLSAH中就完成烧写了呢？还是在编写烧写工程的时候还有什么工作需要做？

是的，是二进制文件了，直接烧写就可以了。