我修改startware下的nandflash例程，读、写1个block，然后用CCS的clock功能计时间，测试nandflash的读写速度。
分别对我自己的板子和第三方开发板进行测试。
我的板子用的是东芝的2GB：TH58NVG4S0FBAID，对nandflash例程中nand的block大小等宏定义按照该芯片进行了相应修改。
开发板用的是三星的128GB：S34ML01G200TFI000，就用的nandflash例程的宏定义。
测试程序是基于startware中的nandflash例程，表格中4种测试表示：
1、CPU，即用#define NAND_DATA_XFER_MODE (NAND_XFER_MODE_CPU)。
3、DMA，即用#define NAND_DATA_XFER_MODE (NAND_XFER_MODE_DMA)。
2、4分别在1、3的基础上用
CacheEnableMAR((unsigned int)0xC0001000, (unsigned int)0x08000000);
CacheEnable(L1DCFG_L1DMODE_32K | L1PCFG_L1PMODE_32K | L2CFG_L2MODE_256K);
使能Cache。
测试结果：
我板子的结果：
|
条件 |
写速率 |
读速率 |
读写一致？ |
|
CPU |
0.59 |
0.54 |
PASS |
|
CPU+CACHE |
4.24 |
2.75 |
PASS |
|
DMA |
1.41 |
1.32 |
PASS |
|
DMA+CACHE |
4.35 |
6.44 |
FAILED |
开发板的结果：
|
条件 |
写速率 |
读速率 |
读写一致？ |
|
CPU |
0.46 |
0.43 |
PASS |
|
CPU+CACHE |
3.07 |
2.42 |
PASS |
|
DMA |
0.83 |
0.80 |
PASS |
|
DMA+CACHE |
3.07 |
4.87 |
FAILED |
以上测试中，““写速度”只包含写操作的时间，不包含擦除时间。
可以看到，由于芯片的原因，我的板子的速度要快一些。我的板子测试结果与开发板测试结果趋势一致。
我的问题是：
Q1、为何DMA+CACHE读出来的结果和写进去的不一致，是该例程中的nandlib不支持吗？
Q2、我用的是SLC的nand。4.24MB/s写，2.75MB/s读，这样的速度是否合理？
为何用电脑读SD卡，可以达到30MB/s以上的读写速度？
根据上面这个链接，L138对nandflash的写速度为4MB/s左右，读速度为10MB/s左右。
这个链接是在linux下，用JFFS2文件系统读写的，按理来说应该速度比直接读写要慢吧？
为何它的结果是读速度明显高于写速度，而我的测试结果读速度低于写速度？
按理来说是应该读比写快吧。
Q4、我看了nandflash芯片的datasheet，感觉应该更快才对。读写速度的瓶颈，是否是DSP的nandflash控制器？
Q5、TI是否有提供其他的nand驱动库可以使用？
谢谢！
Frank
