请教一下，TI 原厂6678 开发板 ，版本是 REV.3B, DDR3校正总是失败。

void C6678_EVM_DDR_Init(float clock_MHz, DDR_ECC_Config * ecc_cfg)

就在这个函数里面 ，求解答。

int KeyStone_DDR_full_leveling()
{
Uint32 uwStatus;

/*enable full leveling*/
gpDDR_regs->RDWR_LVL_RMP_CTRL =
(unsigned int)(1<<CSL_EMIF4F_RDWR_LVL_RMP_CTRL_REG_RDWRLVL_EN_SHIFT);

/*start full leveling*/
gpDDR_regs->RDWR_LVL_CTRL =
(unsigned int)(1<<CSL_EMIF4F_RDWR_LVL_CTRL_REG_RDWRLVLFULL_START_SHIFT);

/*Read back any of the DDR3 controller registers.
This ensures full leveling is complete because this step is executed
only after full leveling completes.*/
uwStatus= gpDDR_regs->RDWR_LVL_RMP_CTRL; //dummy read

//Wait 3ms for leveling to complete
TSC_delay_ms(3);

if(gpDDR_regs->STATUS&(CSL_EMIF4F_STATUS_REG_RDLVLGATETO_MASK
|CSL_EMIF4F_STATUS_REG_RDLVLTO_MASK
|CSL_EMIF4F_STATUS_REG_WRLVLTO_MASK))
{
printf("DDR3 leveling has failed, STATUS = 0x%x\n", gpDDR_regs->STATUS);
uwStatus = 1;
return uwStatus;
}
uwStatus = 0;
return uwStatus;
}

这是校正函数代码，修改哪里能解决这个问题呢？

Hi Mingzi

We tried this project in our EVM, but not found this issue.

Could you use other EVM to have a try too?

你好：

我遇到了相同问题，程序使用K1_STK1.1，硬件也是TMDSEVM6678L Rev.3B. 我看到原理图中NAND FLASH型号是K4B1G164G-BCH9，但实际板子中的型号是K4B2G1646Q-BCK0，不知错误是否于此有关？ 

上面NAND FLASH写错了，应为DDR3 SDRAM

你好，我遇到了同样的问题，也是TI EVM上DDR3初始化失败，出问题的代码也一样。请问你的问题解决了吗？

我後來使用把這個範例程式中 KeyStone_DDR_init() function 裡面呼叫 C6678_EVM_DDR_Init() 的那行 mark 掉，改用 CCS 提供的 GEL (i.e. evmc6678l.gel) 中的 ddr3_setup_auto_lvl_1333() 來設定 DDR3，這樣在 TMDSEVM6678LXE 板子上執行 Memory Test 就不會遇到  "DDR3 leveling has failed" 問題，記憶體測試也都正常。

所以我想問題應該是 STK 範例程式的 C6678_EVM_DDR_Init() 對 DDR3 的設定不適用於TMDSEVM6678LXE 板子(有 security accelelrtor 版本)。但我不能確定是兩種不同的 DDR3 晶片問題還是 兩種不同的 C6678 晶片問題。