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您好:
已经做的工作(1)根据PCB布线调整 参数,根据DDR3芯片型号调整参数。
(2)官方提供的memory_test工程进行测试,66.7倍频到800,初始化过程可以通过, 测试结果:显示有些地址读出来的数据有错误,但是用CCS看那个地址,没有错。
问题:以上现象是什么原因?怎么解决?可以降低 到400测试吗
紧急紧急!谢谢!
您好,降频到400MHz,memory_test测试历程中进行了大量DDR测试,大部分都是对的,错误比较随机,有bit_address_walk出错的,有fill memor错误,错误的地址也是随机的,数据位也不是固定的。。用CCS进到DDR3出错的地址,数据显示是对的。为什么读出来的就和写进去的数据不一样?
keystone_DDR_init(*)函数运行会在测试内存,读写数据时报一个固定地址的读写错误。