您好,请教一下:
问题:在批量测试中发现,DM6437有部分发热量很大,温度在67-70度,占测试比率3%,其余的温度在42-50℃左右。同时测试了DM6437 1.2V对地阻抗发现,发热量大的对地阻抗偏低,在10欧姆左右,其余正常的在70欧姆以上。
请教:能否对于芯片发热量大给一些改进建议,另外,1.2V对地电阻是否有一个正常的范围?
能否告知1.2V与GND的内部模拟电路的连接方式?能否提供芯片悬空时测试的CVDD与GND两引脚的电阻。 TI datasheet上是没有的
非常感谢!
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好,请教一下:
问题:在批量测试中发现,DM6437有部分发热量很大,温度在67-70度,占测试比率3%,其余的温度在42-50℃左右。同时测试了DM6437 1.2V对地阻抗发现,发热量大的对地阻抗偏低,在10欧姆左右,其余正常的在70欧姆以上。
请教:能否对于芯片发热量大给一些改进建议,另外,1.2V对地电阻是否有一个正常的范围?
能否告知1.2V与GND的内部模拟电路的连接方式?能否提供芯片悬空时测试的CVDD与GND两引脚的电阻。 TI datasheet上是没有的
非常感谢!