我使用的是TMS320C6657芯片，DDR3存储器需要设计8GB，目前市面上的DDR3最大容量只有1GB（8Gb）,这样我需要外接8片DDR3存储器，请问TMS320C6657能驱动得了8片DDR3存储器吗？这样设计有什么风险吗？

C6657 DDR3最大能支持到8GB。

走线请参考下面的DDR3布线文档。

http://www.ti.com/lit/an/sprabi1b/sprabi1b.pdf

谢谢您的回复。

您推荐的文档我看过了。我想问的是：目前市面上的DDR3最大容量只有1GB（8Gb）,这样我需要外接8片DDR3存储器，请问TMS320C6657能驱动得了8片DDR3存储器吗？这样设计有什么风险吗？

文档里面没有答案啊。请一定回复一下。非常感谢！

看了一下数据手册不支持8片8bit DDR3的拓扑结构。

6.11.1 DDR3 Memory Controller Device-Specific Information
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tms320c6657.pdf

我从文档中看到可以支持如下拓扑结构：

The DDR3 electrical requirements are fully specified in the DDR Jedec Specification JESD79-3C.
Standard DDR3 SDRAMs are available in 8- and 16-bit versions, allowing for the following bank
topologies to be supported by the interface:
• 36-bit: Three 16-bit SDRAMs (including 4 bits of ECC)
• 36-bit: Five 8-bit SDRAMs (including 4 bits of ECC)
• 32-bit: Two 16-bit SDRAMs
• 32-bit: Four 8-bit SDRAMs
• 16-bit: One 16-bit SDRAM
• 16-bit: Two 8-bit SDRAM

但是我看到TMS320C6657的DDR控制器有两个时钟使能信号，两个时钟输出信号，两个片选信号，是不是可以控制两组DDR存储器，一组DDR存储器包含Four 8-bit SDRAMs，两组DDR存储器就包含八个8-bit SDRAMs。不知我理解的对不对？

请参考下面的帖子，C6657 最大只支持4GB DDR3.

http://www.deyisupport.com/question_answer/dsp_arm/c6000_multicore/f/53/t/147424.aspx

您好，帖子我看了。我还有一些疑问，如下：

TMS320C6657的DDR接口有两个时钟信号（DDRCLKOUTP0/1，DDRCLKOUTN0/1），两个芯片使能信号(DDRCE0/1)，两个时钟使能信号(DDRCKE0/1)，两个OTD信号（DDRODT0/1）。这些信号为什么会有两组，我看参考设计实际只使用了一组，那么请问一下两组信号的意图是什么？谢谢！

两组信号是用在dual rank的时候。

能否解释详细一点，"dual rank"是什么使用方式？非常感谢！

请参考下面的框图。

Dual Rank DDR3 Implementation
http://www.ti.com/lit/an/sprabi1b/sprabi1b.pdf

我理解是，如果每个RANK设计为4GB，采用Dual Rank，容量就能达到8GB。不知我的理解有没问题。请指教。谢谢！

TMS320C6657外部的DDR3设计为Dual Rank，最大容量是不是可以达到8GB?因为单Rank最大可以支持4GB，所以Dual Rank最大容量可以达到8GB。我的理解是否正确？很重要！请一定回复。谢谢！

请看下面e2e的回复。
https://e2e.ti.com/support/dsp/c6000_multi-core_dsps/f/639/p/654058/2407898#2407898

您好，帖子我看了，可还是不清楚使用Dual Rank，DDR3最大容量是否能做到8GB。

我理解TMS320C6657外部的DDR3单Rank最大可以支持4GB，所以Dual Rank最大容量可以达到8GB。请问对不对？如果不对，请说明一下原因，也加深我对这个片子的理解。

很重要。非常感谢！