一、操作步骤
1.选中目标工程，从File->New->Target Configration File新建一个配置文件
2.在“Basic”标签中配置“Board or Device”，在右侧电机"Save"，然后点击"Test Connection"
3.在xxx.ccxml页面的“Advanced”的标签中为CortexA8加入gel脚本路径(PRU系统默认已加)：
D:\ti\ccsv7\ccs_base\emulation\boards\ice_amic110\gel\iceAMIC110.gel
3.1修改仿真器频率：在“The JTAG TCLK Frequency(MHz) ”处修改仿真器的通信频率为自定义（5MHz）。
4.右键点击xxx.ccml文件，选择“Launch Selected Configuration”。
5.接着连接要等待几分钟，进入调试界面
6.右键选择目标器件“CortxA8”，点击“Connect Target”。
7.依次导入需要的*.out文件：
（1）D:\ti_rtos_amic110\pdk_am335x_1_0_9\packages\ti\starterware\tools\flash_writer\spi_flash_writer_AM335X.out
之后CCS Console将会打印出如下提示：输入1
Starting SPIWriter. Choose Operation:
Enter 1 ----> To FLASH an Image
Enter 2 ----> To ERASE Flash
Enter 3 ----> To EXIT
（2）...
（3）“Enter the File Name”，烧写bootlloader，输入：
D:\ti_rtos_amic110\pdk_am335x_1_0_9\packages\ti\starterware\binary\bootloader\bin\am335x-evm\gcc\bootloader_boot_mcspi_a8host_debug_ti.bin
(4)“Enter the Offset in bytes (in HEX)”,输入(下载和校验的时候需要等待几分钟)：
0x00000
（5）D:\ti_rtos_amic110\pdk_am335x_1_0_9\packages\ti\starterware\tools\flash_writer\spi_flash_writer_AM335X.out
之后CCS Console将会打印出如下提示：输入1
Starting SPIWriter. Choose Operation:
Enter 1 ----> To FLASH an Image
Enter 2 ----> To ERASE Flash
Enter 3 ----> To EXIT
（6）“Enter the File Name”，烧写App，输入：
D:\ti_rtos_amic110\pdk_am335x_1_0_9\packages\ti\starterware\binary\gpio_app_led_blink\bin\am335x-evm\gcc\gpio_app_led_blink_a8host_debug_ti.bin
（7）“Enter the Offset in bytes (in HEX)”,输入：
0x20000
（8）硬件复位启动，即可看到运行后的现象。
二、现象
2.1 烧写BootLoader（55KB）需要3min，校验3min;
2.2 烧写App（97KB）需要6min，校验6min;
总计一次操作耗时18min。
三、问题
3.1 为何烧写这么少的二进制文件需要这么久时间？操作流程问题？还是仿真器太旧的问题？
3.2 有哪些方式可以加快SPI flash的烧写？
3.3 使用SD卡启动或是SD卡烧写SPI flash是否会快些？
3.4 仿真器进行debug时，xxx.out二进制文件是直接烧到了DDR还是内部RAM（容易超过内存大小）？仿真时就不判断从何处（flash、sd卡等）启动，直接从RAM启动吧？
4.4 能否用仿真器直接烧写二进制文件到SPI flash（应该是不可以直接访问的，访问地址的方式被SPI总线转换了）？
