本人测试DSPC6678通过EMIF写nandflash（MT29F8G16A）的速度为21Mbit/s，但根据nandflash数据手册，tPROG=200us的时间估算，最大速度应该是78Mbit/s。
我测试的时间分布是，T write page=770us.
其中写CMD 0X80 传输COLROW地址 为10us
然后，从DSPC6678的DDR区域传输2048个字节给nandflash地址（0x78000000）需要560us
再，等待Rdy准备好，即手册所说的tPROG=190us。
总共时间即为770us，算出来速度即为21Mbit/s。
影响速度的原因是从DSPC6678的DDR区域传输2048个字节给nandflash地址（0x78000000）需要560us，这部分时间是nandflash手册上未考虑的。
请问：DSPC6678通过EMIF写nandflash（MT29F8G16A）的速度最大多少？
