DM642的flash烧写问题

你好，首先CPLD和FLASH并没关系，对FLASH的读写不受CPLD的影响，因为访问FLASH走的EMIF总线。那个例程的CPLD是意在读取存储在FLASH里的程序到CPLD里运行。所以你只用分析\evmdm642\evmdm642\flashburn\FBTC642里面的代码就可以了。至少FLASH低位空间访问是没有问题的。高位需要GPIO来模拟，这时候需要改这部分代码了。

首先，谢谢您抽出时间来回复我。我先看看您说的这个代码，有问题我再向您请教。

您好，我最近研读了一下有关seed开发板上有关flash烧写的程序，理解了七七八八吧，但是有一个地方我有点不明白，请您帮我看看行吗？

下面是我感到困惑的地方：

for(page = 0;page<8;page++)
{
/*取FLASh的首址*/
addr = SEEDDM642_FLASH_BASE;
/* Set Flash page*/
SEEDDM642_rset(SEEDDM642_FLASHPAGE, page);
/*等待延时*/
SEEDDM642_waitusec(1);
/*将数据写入第0页，每页512K*/
limit = 8;
for (i = 0; i < limit; i++)
{
for (j = 0; j < 128; j++)
{
startaddr = addr;
/*每次写入512个字节，以16位的数据为基数*/
for (k = 0; k < 256; k++)
{
buffer[k] = (addr + i + page) & 0xffff;
addr += 2;
}
SEEDDM642_FLASH_write((Uint32)buffer, startaddr, 512);
}
}

以上是我摘录了其中一段，我明白seed642开发板个是利用19位地址线来连接flash（AMD29LV033C），

合众达的处理是运用cpld扩展例外三根地址线，将flash分成8页，每页有512k的大小，

我了解到该款flash的扇区大小为64K，因此上面程序中分别套用的两个循环，for (j = 0; j < 128; j++)和for (k = 0; k < 256; k++)

就能解释的通了。

我的问题是buffer[k] = (addr + i + page) & 0xffff;是怎么回事呢？合众达定义的这个数组是个int型说明以16位来进行赋值，

但是这样的问题就在于i和page的作用是什么呢？如当i和page取1时，这个数组取的数又是什么呢？因为这样按位求出的结果

貌似有误，还请大神指教

您好，我最近研读了一下有关seed开发板上有关flash烧写的程序，理解了七七八八吧，但是有一个地方我有点不明白，请您帮我看看行吗？

下面是我感到困惑的地方：

for(page = 0;page<8;page++)
{
/*取FLASh的首址*/
addr = SEEDDM642_FLASH_BASE;
/* Set Flash page*/
SEEDDM642_rset(SEEDDM642_FLASHPAGE, page); 
/*等待延时*/
SEEDDM642_waitusec(1);
/*将数据写入第0页，每页512K*/
limit = 8;
for (i = 0; i < limit; i++)
{
for (j = 0; j < 128; j++)
{
startaddr = addr;
/*每次写入512个字节，以16位的数据为基数*/
for (k = 0; k < 256; k++)
{
buffer[k] = (addr + i + page) & 0xffff;
addr += 2;
}
SEEDDM642_FLASH_write((Uint32)buffer, startaddr, 512);
}
}

以上是我摘录了其中一段，我明白seed642开发板个是利用19位地址线来连接flash（AMD29LV033C），

合众达的处理是运用cpld扩展例外三根地址线，将flash分成8页，每页有512k的大小，

我了解到该款flash的扇区大小为64K，因此上面程序中分别套用的两个循环，for (j = 0; j < 128; j++)和for (k = 0; k < 256; k++)

就能解释的通了。

我的问题是buffer[k] = (addr + i + page) & 0xffff;是怎么回事呢？合众达定义的这个数组是个int型说明以16位来进行赋值，

但是这样的问题就在于i和page的作用是什么呢？如当i和page取1时，这个数组取的数又是什么呢？因为这样按位求出的结果

貌似有误，还请大神指教

你好，我现在也是在调试一个DM642的板子，现在遇见问题了，是不能擦除FLASH，flash的型号是AM29LV033C。我的硬件连接没有问题，请问你知道这个可能是什么原因么？

请问你的不能擦除是什么意思？我不是很明白，你可以先看看内存相应位置的数据是否改变，比如0x90000000以后的区域，你的硬件是怎么连接的？用的FPGA选通？还是I/O口模拟啊？

使用CPLD选通的。就是说FLASH的扇区擦除指令，dsp是正常发送出去了的。六个周期的指令序列嘛。可是貌似flash貌似没有正确接收到指令。导致flash的扇区内嵌擦除程序不工作。我吧我的程序给你看看。

FLASH型号：Am29LV033C

我用一个合纵达提供的flash擦除和烧写的例程的时候，一直会死在擦除和写FLASH的函数的While循环那



以下是擦除函数和写函数，麻烦大家看看，一块讨论讨论，我会关注本帖的，谢谢大家


void SEEDDM642_FLASH_erase(Uint32 start, Uint32 length)
{
    Int16 i;
    Uint8 *pdata;
    Uint32 sector_base, end;
    
    /* Calculate extents of range to erase */
    end = start + length - 1;
    
    /* Walk through each sector, erase any sectors within range */
    sector_base = SEEDDM642_FLASH_BASE;
    for (i = 0; i < SEEDDM642_FLASH_SECTORS; i++)
    {
        if ((start <= sector_base) && (sector_end[i] <= end))
        {
            /* Start sector erase sequence */
            *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0xAA;
          //  SEEDDM642_wait(1000);
            *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0x55;
                //        SEEDDM642_wait(1000);
            *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0x80;
                        //SEEDDM642_wait(1000);
            *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0xAA;
                //        SEEDDM642_wait(1000);
            *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0x55;
                //        SEEDDM642_wait(1000);
           // *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0x10;
            /* Start erase at sector address */
            pdata = (Uint8 *)sector_base;
           *pdata = 0x30;
            SEEDDM642_wait(1000);

            /* Wait for erase to complete */
            while (1)
            {
                if (*pdata & 0xff)//程序死在这个while循环中
                {
                    break;
                }
            }       
            /* Put back in read mode */
        
            *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0xf0;                    
        }
        
        /* Advance to next sector */
        sector_base = sector_end[i] + 1;
    }
}

烧写函数

void SEEDDM642_FLASH_write(Uint32 src, Uint32 dst, Uint32 length)
{
    Uint8 *psrc, *pdst;
    Uint32 i;

    /* Establish source and destination */
    psrc = (Uint8 *)src;
    pdst = (Uint8 *)dst; 
    for (i = 0; i < length; i++)
    {
        // Program one 8-bit word
        *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0xaa;
        *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0x55;
        *((Uint8 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0xa0;
        *pdst = *psrc;
        
        // Wait for operation to complete
        while(1)///这个循环也死
        {
            if (*pdst == *psrc)
            {
                break;
           }
       }       
        //  SEEDDM642_waitusec(10000);
        pdst++;
        psrc++;
    }
    
    /* Put back in read mode */
    *((Uint16 *)SEEDDM642_FLASH_BASE) = 0xf0;    
}

你好，你这个程序就是合众达给的例程吧？有几个问题，你可以参考一下。据我的经验（不一定对哈），分页执行的话，只能每次操作512K的数据，如果大于512K则不行，但是你说的是一直死在那个循环里，这个就有几种解释了，第一，你的flash工作了，但是你没有注意到，这个问题你可以通过查看寄存器是否为FFFFFFFF，即查看是否进行了擦除来验证，如果flash工作了，这个是最理想的情况，那么说明你的CPLD确实配置上有误，可能是分页不对等等。第二，你的flash没有工作，那么可能是你的片子坏了，或者是有其他什么原因导致了你的硬件出错，这两天我也是被这个问题所困，我通过用示波器测量发现，SDRAM的低八位工作不正常，导致flash的八位数据位有误，也是死在那些循环里。

是的，是合纵达的例程。我知道分页的，而且我的CPLD的分页是正确的，我觉得是我的flash在我的的DSP发送完6个周期的擦除指令后没有自动调用其内部的擦除程序进行擦除。而我能保证的是我的六个周期的擦除指令时正确的发送了过去的。擦看寄存器的时候寄出去全部是0x00000000.换了几个片子了，感觉也不是片子坏了。

我的QQ 405211631 有时间的话我们一起聊一聊吧，我最近在用他的EMIF读取FIFO，感觉也遇到了一些问题，你看我们能互相学习一下么？