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手册里说是0200 0000h是怎么来的?
你指的是EMIF控制器的基址吗？
用的那个型号的主芯片？
dm368的，emif基址为什么就是nandflash的基址呢
没有说emif基址就是nandflash的基址啊。
nandflash的寻址方式是发命令。
你说的“手册里说是0200 0000h”，在哪里描述的？
NAND是接在Asynchronous EMIF (AEMIF)上的。Asynchronous EMIF (AEMIF)的基址是0200 0000h。
asynchronous external memory interface user's guide里2.5.6.3，它举了个例子说明了一下ale和cle的地址映射。
那nandflash的基址要怎么确定呢？
NAND_InfoHandle NAND_open(Uint32 baseCSAddr, Uint8 busWidth)
这个函数里打开nand flash要提供基址
async emif的地址映射是从0x0200 0000到0x09ff ffff
nand flash的基址是这个区域的起始地址是由什么决定的？是连线还是寄存器配置还是其他什么
或者说nandflash的基址可以是这个地址空间的任一地址？
是不是对nand flash的操作，是向EM_A[20:0]中写数据，来控制flash的ale和cle，然后向EM_D[15:0]中写数据发送具体的命令和数据。看起来对flash的操作就像给aemif发送地址数据一样。这里的基址是这个作用，让控制数据可以简化成偏移地址，所以基址就是emif的基址
nand flash的基址根据硬件连接确定：
ASYNC EMIF Data (CE0) 0x0200 0000 0x03FF FFFF 32MASYNC EMIF Data (CE1) 0x0400 0000 0x05FF FFFF 32M
要看你的NAND连的CE空间。
基址是相对于EMIF来说的，最终转换对NAND的命令和数据的控制上。
谢谢，我大致理解了
