各位工程师:
你好,
我之前用的EVM板参考的NANDFLASH,型号是MT29F1G08AACWP,用官方提供的C6657nandflash bootloader来烧写存入NANDFLASH的程序,我的6655是可以正确boot的。
由于MT29F1G08AACWP这个NANDFLASH停产了,我们现在更换了NANDFLASH的型号,现在选用MT29F4G08ABBFAH4-IT_F这个型号的NANDFLASH。这两个nandflash的主要区别就是存储区大小不一致,如下面两图(第一幅是EVM板上使用的NANDFLASH):
现在我都用C6657nandflash bootloader来烧写同样的程序,原本对于nandflash的配置是如下所示:
unsigned int busWidth = 8;
unsigned int pageSizeBytes = 2048;
unsigned int pagesPerBlock = 64;
unsigned int spareBytesPerSegment = 16;
unsigned int spareBytesPerPage = 0;
现在我改为了如下:
unsigned int busWidth = 8;
unsigned int pageSizeBytes = 4096;
unsigned int pagesPerBlock = 64;
unsigned int spareBytesPerSegment = 64;
unsigned int spareBytesPerPage = 0;
能用C6657nandflash bootloader来对nandflash进行正确读写,但是写入后不能正确启动,用FPGA抓取可以看到,DSP上电后一直在读取nandflash的数据,但是读取的nandflash的地址不在正常范围内。
我想知道这个会是什么原因啊?这个问题要怎么解决啊,麻烦各位了。感谢。