TMS320C6455: RC28F640J3D emifa接口nor flash和flashburn如何修改适配

Flashburn针对TI的EVM/DSK板用起来比较方便, 如果客户自己的开发板, 需要先了解FBTC通信机制, 然后修改FBTC文件, 这个很复杂, 所以很少有客户会去花时间修改FBTC文件, 通常是直接根据板子上flash的clear/erase/program command编写flash烧写程序. 

能否给个参考的非flashburn代码呢？

最好是对应这颗flash的，谢谢

不同型号的flash，它们的操作命令不一样的，所以具体要参考您使用的这颗flash的数据手册。下面是一篇文档可以参考一下，烧写流程是差不多的。
http://news.eeworld.com.cn/afdz/2008/0312/article_441.html

你好，这篇文章里面提到的的引导程序，我们的是ok的，因为加载到IRAM能跑到main函数。现在的问题是没有烧写程序到emifa nor flash的代码，能不能提供一个参考代码，我方便移植我们的flash。

上面的文档里有烧写程序。下面是Flash存储器的擦除

TI开发板都是用flashburn烧写的，所以没有flash烧写例程。您需要自己百度一下。

　　在对AM29LV040Flash进行读写操作之前，应对其进行擦除，擦除操作需要6个总线周期：

　　(1)向555H地址的存储单元写入数据AAH;

　　(2)向2AAH地址的存储单元写入数据55H;

　　(3)向555H地址的存储单元写入数据80H;

　　(4)向555H地址的存储单元写入数据AAH;

　　(5)向2AAH地址的存储单元写入数据55H;

　　(6)向555H地址的存储单元写入数据10H;

　　完成上述操作后，Flash存储器完全擦除。

　　在CCS环境下，用C语言编写上述操作如下：

　　voidFlash_Erase()

　　{

　　*(char*)FLASH_ADR1=0xAA;

　　*(char*)FLASH_ADR2=0x55;

　　*(char*)FLASH_ADR1=0x80;

　　*(char*)FLASH_ADR1=0xAA;

　　*(char*)FLASH_ADR2=0x55;

　　*(char*)FLASH_ADR1=0x10;

　　}

现在没有其他办法，能不能flashburn的资料看看呢？只有试着改了。

flashburn的资料都在软件包里，没有其他的了。建议还是自己写flash烧写程序比改FBTC文件简单。

没写过flash烧写程序，所以不知道怎么下手去写，应该有客户写过这种程序吧，你们怎么会没有类似代码呢？

即使有客户的代码，我们也不方便未经同意就共享出来。
flash烧写步骤基本上是clear/erase/program这个流程，结合flash数据手册和上面贴出来的flash擦除代码着手写。