TMS320C6657: 6657初始化DDR3——>MT41J256M16的问题

skysteed 说：

但MT41J256M16RE-125的速度级别是1600的

请选择user defined，并且在datasheet那一页添加时序参数。instructions那一页有说明。

你好 4G的MT41J256M16测试通过了

但有另一种板子 原理设计和4G完全相同 只不过DDR焊接的是2G的MT41J128M16 

现象是第一次上电 DDR1333测试通过 再从新加载程序 再次执行DDR1333测试 就会报DR3 leveling has failed, STATUS = 0x40000064

同样的测试程序 在4G的板子上没有这个现象！！！

这个STATUS = 0x40000064 表示training has timed out

1 = Indicates read DQS gate training has timed out
1 = Read data eye training has timed out

你好 上面这个现象还是第一次见

想问下 调试DDR时 上电 初始化DDR 执行 不断电 从新加载程序 再次初始化DDR 执行 

允许这样操作不？

还是说上电时需要用GEL初始化DDR?也就是说调试时允不允许 多次初始化DDR？

这是我的CorePac Revision ID Register的值 是8.1

你好 补充下 4G的MT41J256M16 跑的是1333 

                    2G的MT41J128M16 第一次上电 DDR1333测试通过 从新加载 再跑DDR1333 就会报错 但跑1066就没这现象 应该还是参数有问题！！！

DDR3 Register Calc v4里没有MT41J128M16-125(1600)的参数

Nancy Wang 说：

请选择user defined，并且在datasheet那一页添加时序参数。instructions那一页有说明。

这个步骤没有尝试过吗？

skysteed 说：

2G的MT41J128M16 第一次上电 DDR1333测试通过 从新加载 再跑DDR1333 就会报错 但跑1066就没这现象 应该还是参数有问题！！！

参考以下帖子看一下：

e2echina.ti.com/.../6657-ddr3

就用的是user defined 从MT41J128M16器件手册里找的参数

1333第一次可以过 不断电 重新加载 就会有问题 

问题出在ddr的测试上

uiFailCount = Memory_Fill_Test(0x80000000,256, 0x00000000, 8, 8);
uiFailCount += Memory_Fill_Test(0x80000000,256, 0xFFFFFFFF, 8, 8);
uiFailCount += Memory_Address_Test(0x80000000,256, 8, 8);

1066就没问题