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你好,
1. ARM subsystem guide:
The external pin DEEPSLEEPZ/GIO0 must be driven high during chip reset in order for NAND boot mode to work.
2. 关于DDR布线,请参考数据手册6.10.3.1 DDR2/mDDR Interface。就你的问题请参考6.10.3.1.9 DDR2/mDDR Signal Termination,匹配电阻不是必须的。
3. 如果做好相关配置就可以,但是是1.8V的IO。
4. 你是希望有DM36x WDT信号输出么? 如果是,这点DM36x不支持。
5. 这几个引脚功能相同。
6. 为什么连接FPGA需要使用EM_CLK,你们配置的FPGA和one nand的时序类似,需要同步传输么?在EMIF上连接不同的外设(被动设备),通过CS选通区别即可。
7. YPbPR需要加,CVBS如使用内部运放可以外部不加运放,具体请参考数据手册6.12.2.4 High-Definition (HD) DACs and Video Buffer Electrical Data/Timing。请问你所的音频是DM36x自带的voice codec么?如果是,相关电路建议参考voice codec user guide
谢谢。
我没找到删除重复帖子的方法啊。
HI 我看了spec,关于DDR走线部分,还是有些疑问:
1:我考虑将DQ0-15和DQS0-1以及DM0-1分为1组做等长,将地址线和控制线以及时钟分为1组做等长,2组组内都控制在误差25MIL内即+-12.5MIL相差;是否可行?
2:请问地址时钟和控制线这一组,与数据组相,这两组组间相互的等长要求是多少?即地址组长度比数据组长度是要长还是短?差值是多少?
3:信号DDR_GATE0和GATE1间串联了一个10R电阻相连,且此线也需要等长?其长度手册上说是时钟CLK长度和数据线平均长度的总和,对吗?
4:看了手册上面说DDR的数据时钟地址等可以不需要加任何串联等电阻,我没有加。但考虑CLK和DQS,DM添加串联电阻,可否?