EVM6678L NAND boot

Huang你好：

最近我也刚开始看C6678boot方面的文献。对于你的问题，我的看法是：

问题一：是需要手工加入，但加入的地址与MCSDK的版本有关，可参见我后面附的IBL与NAND的烧录过程。

问题二：选择32位宽。

问题三：如果仅加载一个核的*.out文件到NAND flash中，在使用IBL二次boot时则只能有一个核进行启动。当然你也可以在用户程序中进行修改，但不建议。对于多核的具体过程我目前还没有理清楚，但从TCI6488的boot文档上看：要使用多个核一般要多个*.out文件，并分别产生相应的boot表，并进行合并。然后再进行烧录。（这一点希望多交流）。

问题四：Boot与你是否使用了SYS/BIOS没有关系，整个boot过程所有的程序均看为一般的用户程序。

问题五：目前还没有看到更简单的boot方法。

附IBL烧录与NAND烧录：

对I2C进行POR或IBL程序编程：（参见MCSDK的111页）

(1)          将目标板（EVM或用户板）设置在no boot/EMIF16模式，连接Jtag并加电。

(2)          在CCS环境连接目标Core0：采用evmc66xxl.gel配置文件并初始化DDR。（对于2.0.8及这之前版本的MCSDK在初始化程序中使用了DDR）

(3)          调入在CCS环境下的编程工具：program writer \eeprom \evmc66xxl \bin \eepromwriter_evm66xxl.out。

(4)          在CCS下打开内存观察窗口（view->Memory Browser)：观察0x0C000000（这是共享MSM内存的首地址）下的地址。（注意：这个地址与MCSDK的版本有关。对于2.0.8及这之前版本的MCSDK需使用0x80000000。这也是网上对该地址混乱的一个原因。另外在烧录POST时，所有的MCSDK版本均使用0x80000000地址）

(5)          将IBL程序i2crom_0x51_c6670_le.bin copy到目录：writer\eeprom\evmc66xxl\bin 下，同时调入CCS的内存0x0C000000处。具体方法：在CCS的内存观察窗口中按鼠标右键→调入文件“load memory” →选择文件i2crom_0x51_c6670_le.bin→不需要使用选项：“Use the file header information to set the start address and size of the memory block to be loaded”（32位宽，无交换）→按“next”即可完成。

(6)          设置配置文件：writer\eeprom\evmc66xxl\bin\eepromwriter_input.txt（注意：对这些参数进行修改时，字符的大小写，空格均不要改变原文件中的格式）

• file_name = i2crom_0x51_c6670_le.bin （在烧录IBL时这个文件名是否需要同时改成App.bin？因而MCSDK文档上是这样的；而在烧录POST时，这两个文件名保持相同的原始文件。这儿需要注意的是，这个等烧录的文件已不是原始的*.out文件了！）
• bus_addr = 0x51
• start_addr = 0
• swap_data = 0

(7)          在CCS环境下运行：按F5。但编程正确结束，则console终端中显示“EEPROM programming completed successfully”，否则提示错误信息。

NAN flash的烧录方法：

(1)          将目标板（EVM或用户板）设置在no boot/EMIF16模式，连接Jtag并加电。

(2)          在CCS环境连接目标Core0：采用evmc66xxl.gel配置文件以初始化DDR。

(3)          将待烧录的程序（*.out）后缀改成*.bin，如果待烧录的程序为LedText.out，则将其copy到mcsdk_2_00_04_16\tools\writer\nand\evmc6678l\bin，并改成LedText.bin；

(4)          在CCS环境下调入程序：mcsdk_2_00_04_16\tools\writer\nand\evmc6678l\bin\ nandwriter_evm6678l.out，并将该程序的配置文件：nandwriter_input.txt作相应的设置，一般nand_writer_input.txt文件的内容修改为：

• file_name = LedTest.bin（烧录文档说明中二个文件名均采用app.bin，感觉这儿只要这二个文件名相同就可以了）
• start_addr = 16384

(5)          在CCS下打开内存观察窗口（view->Memory Browser)：观察0x80000000（这是DDR3内存的首地址）下的地址。（注意：这个地址与MCSDK的版本无关。所有版本的MCSDK需使用0x80000000）将用户程序LedText.bin装入内存。具体方法：在CCS的内存观察窗口中按鼠标右键→调入文件“load memory” →选择文件LedText.bin→不需要使用选项：“Use the file header information to set the start address and size of the memory block to be loaded”（开始地址0X80000000，32位宽，无交换）→按“next”即可完成。

(6)          运行烧录程序（或按F8）开始烧录。如果正确烧录，则在console终端上输出： "NAND programming completed successfully"，否则给出错误的提示信息。

先谢谢你的回答！我待会去试试，有问题再请教。

前几天的尝试中还有个问题，希望您能指导指导：

我将.out的文件重命名为.bin后，在Load Memory时，采用32位，在DDR3中看到的数据貌似没问题（DDR已经初始化）；但是我在向内存中laod i2crom_0x51_c6678_le.bin时（32位或者16位），从内存中看到的数据大部分都是0，感觉数据有问题。不知道我的这个现象是否是正确的。

另外。我用6678大概半年了，主要使用了EVM上的SPI、EDMA、UART等，后边会使用SRIO、EMAC等。了解的东西不多，以前也没做过DSP开发，希望多多交流。

你好，我最近也在研究nand的boot问题，我用的mcsdk版本是mcsdk_2_01_02_06，但是一直没有成功，你能将你mcsdk下的tools文件夹打包发我一下吗，我的邮箱是maguodong12345@126.com，谢谢了！

请问你多核NAND BOOT 成功了吗？对于0核启动其他7个核的操作是怎么做的，可不可以把代码发给我一下，非常感谢。981342847@qq.com，希望多交流

您好，请问单核boot成功后，如何做多核的程序自加载呢？我刚刚接触6678，都不太熟悉。现在out直接重命名bin之后，多个核之间的out文件怎么烧写呀，还需要合并吗？

hi ziye 您好

这段时间我一直在做NAND FLASH 自加载。但我刚刚接触6678，都不太熟悉。现在单核IBL nand boot可以成功了，如何做多核的程序自加载呢？还有，现在out直接重命名bin之后，多个核之间的out文件怎么烧写呀，还需要合并吗？需要boot parameter table 和 DDR table之类的配置吗？

不知道您是否有过相关方面的开发经验，如果方便能提供一些例程吗？不胜感激

我后来没深入研究了，就是在工程里把所有的核程序合在一起了

您好

您的程序合在一起之后， 只在单核里面运行程序吗？还是说生成一个out文件， 烧写之后 ，可以在8个核里面分别运行？

就是说8个核的程序都是一样的，用同一个out

那样自加载boot时，是八个核都跑起来了吗？您方便的话能给我一个例程，参考一下？

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您好   ziye

你给我的程序代码是触发其他核IPC中断，并给其他核赋值运行地址的，这个我都有了。并且在NOR Flash中试验成功了。现在我的问题是，我想要一个NAND flash的自加载例程，包括out格式转换到bin或者dat数据格式，然后烧写到NAND中，最后自加载有现象显示，不知道您是否有过类似的开发经验？