关于AM335x下面的nandflash寿命问题。

可以多分几个区，文件系统和写文件放在不同的区，读写区坏也不会影响文件系统

跟你的Flash的工艺有关系，最好自己测一下。

我用的24nm东芝的128M SLC大概就能写入1000G

把保留坏块的比例调大可以延长寿命，

另外不建议把数据写满了再删除，这样UBIFS收集垃圾会比较困难，照成很多数据的移动而增加Flash的损耗

其实，如果是应用需求要求反复读写文件，而且文件比较大，最好换一种存储介质，比如emmc

关于nand的物理特性，您可以联系nand的供应厂商

linux 的ubi 文件系统会做相应的坏块管理，以及防止多次读写的策略，另外，如上面分析的，可以考虑多个分区，这样，可以更加充分利用ubi的管理机制。

SLC nand的稳定性相对 MLC nand/emmC 要好些，但是，nor flash似乎更好，但价格也更贵。