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AM3352 當機問題

Cai Sharon
Prodigy 30 points
Other Parts Discussed in Thread: AM3352, TPS65217, TPS65910

使用了AM3352設計了一平台,用來傳輸USB資料,在USB端接USB隨身碟,透過LAN傳輸到PC端,

硬體部份有A/B版,在B版的Layout將AM3352 DDR走線改短,

卻造成B版同時間Read / Write USB隨身碟,即會快速造成AM3352當機,

嘗試將DDR3降頻至600MHz,可以增加正常工作時間,但是仍是會當機

進行了TI Tool(CCS Debug)提供的AM335X DDR Tests中的"DDR_ataTransferCheck" & "EDMA"測試又都是Pass

1.測試了DDR Test pass,是否可以代表硬體部份(Layout / Power...)是沒有問題的呢?

2. DDR3調整參數,我們有用AM335x_DDR_register_calc_tool.xls進行調整,請問,需求為800MHz,但是使用的是1333MHz的DDR3,那設定參數要依那個為主?

3.AM3352當機,是否就一定是DDR介面才會造成,還是有其它可能性呢?

4.DDR3使用為Samsung : K4B1G1646E-HCH9,工作頻率800MHz,CL值在Register改設6,但是Tool 的DDR測試卻是Fail的?

5.硬體工作電源設定在OPP100,CPU工作頻率是否只要設定600MHz即可?跟DDR3工作頻率是否有關係?

是否可以協助確認上面問題點,謝謝.

  • 0
    TI__Intellectual 2030 points

     你好，

    造成芯片"当机“的原因有很多种，DDR只是其中一个可能的因素之一。

    如果怀疑是DDR问题，建议你

    1. 对照数据手册上提供的DDR3 schematic和Layout guide进行对比，确保所有的DDR3硬件设计符合里面提出的需求。

    2. 是否有做过DDR3 software leveling操作，如果没有请参考http://processors.wiki.ti.com/index.php/AM335x_DDR_PHY_register_configuration_for_DDR3_using_Software_Leveling。这个有可能对DDR的稳定性有影响。

    3. 有没有”当机“时的Log信息？

    4. 对其他端口\芯片外设做读写操作有没有出现”当机“ 的问题

    5. 是用的什么操作系统？

    CCS里面的DDR Test对地址读写测试有限，结果不一定可以验证DDR的稳定性。

  • 0 回复 Gino E
    TI__Intellectual 2030 points

    另外，

    如果你设定的MPU主频为600Mhz，这个主频下是可以支持DDR3的通讯。

  • 0 回复 Gino E
    Prodigy 30 points

    1. 对照数据手册上提供的DDR3 schematic和Layout guide进行对比，确保所有的DDR3硬件设计符合里面提出的需求。

    -->此部份皆有參照spec.上的需求,反而是A版沒有依照spec.需求,但是現在看起來是B版有問題?

    2. 是否有做过DDR3 software leveling操作，如果没有请参考http://processors.wiki.ti.com/index.php/AM335x_DDR_PHY_register_configuration_for_DDR3_using_Software_Leveling。这个有可能对DDR的稳定性有影响。

    -->有進行software leveling操作,也設定在Boot code內

    3. 有没有”当机“时的Log信息？

    -->仍未確認

    4. 对其他端口\芯片外设做读写操作有没有出现”当机“ 的问题

    -->硬體部份無接其他端口可以進行實驗

    5. 是用的什么操作系统？

    -->windows system

    另外,再詢問個問題,目前我們進行相關測試都會有當機情況發生,但是如果將DDR Vref電壓下降至0.72V卻是可以正常動作的?

    Vref電壓只下降30mV即可正常,Voltage ripple約有30mV左右,為什麼調整DDR Vref電壓即不會有當機問題?

    DDR Vref電壓下降即可正常動作是否代表一定是DDR造成的當機問題呢?

  • 0 回复 Cai Sharon
    TI__Intellectual 2030 points

    你好，

    这个不能完全确定，这个可能要具体看下你这部分的设计，比如滤波电容的位置摆放位置及对应大小等等。

    另外你的VDD_DDR的供电电压是多少？是否使用了Ti推荐的PMIC， TPS65217，TPS65910等

  • 0 回复 Gino E
    Prodigy 30 points

    使用的PMIC為TPS65910,0.75V為使用TPS65910的1.5V,透過2個1K電阻分壓成為0.75V

    濾波電容的位置原則上也無太大更動,只有DDR IC比較靠近AM3352,

    不過2個1K電阻分壓放置位置有不同,

    A版為放置在DDR IC上方,B版改放置於DDR&AM3352中間