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您好,我在分配CMD的时候,设置如下:特意避开了IBL的运行空间0x00800000 to 0x0081BDFF.
-heap 0x1000
-stack 0x2000
MEMORY
{ /* Local L2, 0.5~1MB*/
VECTORS: o = 0x00820000 l = 0x00000200 /*o = 0x00800000 l = 0x00000200 set memory protection attribitue as execution only*/
LL2_CODE: o = 0x00820200 l = 0x0000FE00 /*o = 0x00800200 l = 0x0000FE00 set memory protection attribitue as execution only*/
LL2_R_DATA: o = 0x00830000 l = 0x00008000 /* o = 0x00810000 l = 0x00008000 set memory protection attribitue as read only*/
LL2_RW_DATA: o = 0x00838000 l = 0x00047FFF /* o = 0x00818000 l = 0x00068000 set memory protection attribitue as read/write*/
/* Shared L2 2~4MB*/
SL2: o = 0x0C000000 l = 0x00180000
SL2_RW_DATA: o = 0x18000000 l = 0x00200000 /*remapped SL2, set memory protection attribitue as read/write*/
/* External DDR3, upto 2GB per core */
DDR3_CODE: o = 0x80000000 l = 0x01000000 /*set memory protection attribitue as execution only*/
DDR3_R_DATA: o = 0x81000000 l = 0x01000000 /*set memory protection attribitue as read only*/
DDR3_RW_DATA: o = 0x82000000 l = 0x06000000 /*set memory protection attribitue as read/write*/
}
大家好,最近用mcsdk_2_01_02_06里的ibl进行nand的boot程序加载,我严格按照流程,但是自加载时一直打印DDR ok ,不过到最后会停止打印。我的过程是:首先烧写IBL,然后配置IBL,最后烧写NAND。但是相同的程序,烧写到NOR FLASH中就可以自加载成功。根据网上的有些大牛所说,我进行了如下尝试:
在NAND 自加载时,连上DSP,
set IBL_UTIL=C:\ti\mcsdk_2_01_02_05\tools\boot_loader\ibl\src\util
hex6x makefile.rmd
pause
%IBL_UTIL%\btoccs\b2ccs image.hex image.dat
pause
%IBL_UTIL%\btoccs\ccs2bin image.dat image.bin
pause
6. 每一步完成之后,我都断电,重新上电后,进行下一步操作,但是没有自加载成功。
我的硬件平台是:mcsdk_2_01_02_05 和TMDXEVM6678LE Rev1.0。mcsdk_2_01_02_06的也尝试过,还是和之前的一个现象,总是显示DDR OK。现在对于NAND FLASH 的自加载正在查找原因,好长时间了,没有进展呀。但是相同的程序,烧写到NOR FLASH中就可以自加载成功。望各位大侠多多指教,不甚感激。谢谢~~
感觉步骤是一样的,我用的不是POST例程,是i2cnandboot_evmc6678 工程(tools\bootload\example\i2c\nand),一个小的helloword工程,NOR FLASH可以自加载,但是NAND不行,具体现象就如我发的帖子那样,找不出来原因
Allen Yin 你好!
请问一下IBL是否支持自研板的NAND 启动?
在论坛上看到有说开发板上的FPGA代码将GPIO的状态固定成I2C 0x51启动,启动之后在通过Iblinit.c main 调用iblEnterRom()重新进入RBL过程。而在iblEnterRom()函数中有通过SPI读FPGA寄存器的代码,而这些都只适用于开发板,对自研的板子就不适应了。而且在这个函数中还存在对devstat寄存器写的操作,这样就可能在重新进入RBL过程时,bootmode就可能不是设置的GPIO状态。
不知您是否对这个有研究,麻烦帮忙分析下我的思路是否正确,谢谢
您好!
我目前在做C6678EVM上的EMIF-Nand Flash多核启动。对于单个核的单个.out文件我已实现了向Flash的烧写(重命名为.bin文件后烧写)并成功加载。
请问对于多核的多个.out文件如何烧写到Nand Flash中?
是否有类似用于NOR Flash的文件合并和格式转换的工具?如果有的话是否可以分享给我,谢谢!!