6678的DDR3 差分布线只能100ohm阻抗吗？

各位专家，您好！

           请问6678的DDR3差分布线时只能是100ohm 的阻抗吗？EVM的层叠结构不知道怎么设计的，我找的加工厂（兴森快捷）按照EVM的层叠结构计算出来的线宽和线间距分别是4mil和20mil 这样应该会影响到差分线的耦合吧？而且加工厂不建议使用100ohm阻抗，说内层很难控制100ohm的阻抗。

我看了下hardware design guide 直说了UDIM条时布线是100ohm，也没说直接用DDR3颗粒的时候使用100ohm差分阻抗，请问是不是80ohm也可以呢？

谢谢！