请问 在TI 给出的 EVM 参考设计中 DDR 的走线都串入一个22欧姆的电阻,按照SI 的理论这个电阻是保证匹配减少过冲的,在POWER PC 及MIPS 架构的CPU DDR布线中不需要增加这个电阻 ,请问这个电阻在TI ARM 的CPU 中一定需要吗?
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请问 在TI 给出的 EVM 参考设计中 DDR 的走线都串入一个22欧姆的电阻,按照SI 的理论这个电阻是保证匹配减少过冲的,在POWER PC 及MIPS 架构的CPU DDR布线中不需要增加这个电阻 ,请问这个电阻在TI ARM 的CPU 中一定需要吗?