各位专家好！我是一名新手，最近在参考TI DM8168评估板的参考设计制作一块类似评估板的开发板，看到 DM8168评估板的大部分信号线包括DDR3布线等均为4mil线宽，和制板商联系4mil线宽的特征阻抗为63.3欧姆。但评估板上标注4mil线宽线特征阻抗应该为50欧姆。我的问题如下（1）评估板上的单端线的特征阻抗必须为50欧姆吗？尤其是DDR3部分。使用60欧姆特征阻抗的传输线行不行？（2）如果整个板子采用60欧姆特征阻抗的传输线有哪些地方需要修改？例如DDR3等需要修改终端电阻吗？
各位专家好！我是一名新手，最近在参考TI DM8168评估板的参考设计制作一块类似评估板的开发板，看到 DM8168评估板的大部分信号线包括DDR3布线等均为4mil线宽，和制板商联系4mil线宽的特征阻抗为63.3欧姆。但评估板上标注4mil线宽线特征阻抗应该为50欧姆。我的问题如下（1）评估板上的单端线的特征阻抗必须为50欧姆吗？尤其是DDR3部分。使用60欧姆特征阻抗的传输线行不行？（2）如果整个板子采用60欧姆特征阻抗的传输线有哪些地方需要修改？例如DDR3等需要修改终端电阻吗？