DDR3 leveing time out/filed

chao x

Other Parts Discussed in Thread: LM10010, CDCE62005, LM10011

论坛的各位，大家好

我们自己做的板子，芯片是6655（memory map和6657一样，6657两核，6655单核），最近在调DDR3，一直存在问题，leveling一直通不过，state寄存器显示timeout（6~4位为1）。

测试程序是用的论坛上提供的例程STK_C6657，见附件，因为读取出来的器件ID和6657EVM一样，所以稍微修改下程序就能用了。我的板子用的两片16bits的DDR，并成32bits，具体DQS线的长度见附件DQS&CK.xlsx。

用的DDR3 PHY Calc v10工具计算，将值写入，每次leveling都失败，ddr-state为0x40000074。现在DDR的时钟给的是150MHz，因为把PLL倍到300MHz输出的波形就不对了，板子设计是参考6657EVM的。时钟频率应该多少都可以吧？不一定必须要666.7MHz吧？如果吧leveling去掉，不做leveling，那么写0x80000000写不进去，一直为0。

请各位大神帮忙看下，我这样配的有什么问题，芯片布局是fly-by结构的。把论坛上相关的帖子都看了遍才来求助的，希望TI的工程师能帮帮忙。

STK_C6657.rar

11 年多前

0 Brighton Feng 11 年多前

TI__Expert 5125 points

150MHz的输入时钟是可以的，不过你需要修改例程中DDR PLL的配置。

另外，你用的DDR存储器和EVM上的一样吗？如果不是的话，例程中DDR存储器相关的配置代码也要改。

0 chao x 11 年多前回复 Brighton Feng

Prodigy 110 points

已经修改了，从DSP输出的时钟也测试过了，是150M。应该是一样的，MT41J128M16HA_15E,也按照手册对照过了，但是就是对0x80000000往后写数据一直写不进去，一直都为0(如果注销leveling程序)，如果做leveling就一直是timeout，我用的是6678的PDK,因为手头没有6657的

0 Brighton Feng 11 年多前回复 chao x

TI__Expert 5125 points

"从DSP输出的时钟也测试过了，是150M"是什么意思？是说你测到的DDRCLKOUT是150MHz吗？如果你期望DDR数据速率是1333MTS的话，你测到的DDRCLKOUT频率应该是667MHz。

请从下面网址下载包含6657 PDK的MCSDK：

http://software-dl.ti.com/sdoemb/sdoemb_public_sw/bios_mcsdk/latest/index_FDS.html

0 chao x 11 年多前回复 Brighton Feng

Prodigy 110 points

是的，我在附件里面有DDR3 PHY CALC V1.0设置的情况，按150M设置的，不用666.7M设置的原因是DDR3的PLL倍频高时DDRCLKOUT输出的时钟为杂波。能麻烦您看看附近里我DDR3 PHY CALC V1.0设置的对不对。

0 Brighton Feng 11 年多前回复 chao x

TI__Expert 5125 points

C6657 DDR3支持的时钟频率范围是400MHz~667MHz.

建议先解决DDRCLKOUT输出时钟的问题，需要关注两方面:

1, DDR PLL的配置.请提供你的配置代码。

2，输入的电源(CVDD, AVDD2, DVDD15...), 时钟(DDRCLK, CORECLK...)是否稳定.

0 chao x 11 年多前回复 Brighton Feng

Prodigy 110 points

1、DDR PLL的代码就是用的附件里面的，是例程中的程序，只是改了参数。那按照您的说法，DDR3最少需要工作在400MHz吗？我另一个朋友说他在300MHz也正常工作了。

2、CORECLK最高能稳定到800MHz，再往上CORE就会挂掉，电源方案用的LM10010，能稳定到1.04V，就算CORE挂掉后核电压也正常。最开始没在意DDR PLL，因为验证过了main PLL。DDR PLL我这种情况也是供电不足吗？

谢谢！

0 Brighton Feng 11 年多前回复 chao x

TI__Expert 5125 points

我在你的附近里看到以下DDR PLL配置代码，这是你用的配置吗？

//EVM6657 with 50MHz input for DDR
KeyStone_DDR_init (50, 26, 1, NULL);

这里配对是50MHz输入时钟，和你说的150MHz输入时钟不符啊？

既然你的核也不稳定，你首先需要保证核能稳定工作，再来调试DDR。重点需要关注的是CVDD，核电压值必须满足VCNTL[3:0]的要求，测试点方法是：

1，根据data manual里的图“SmartReflex 4-Pin VID Interface Timing” 测试得到VID[5:0].

2, 根据hardware design guide里的表"SmartReflex VID Value Mapping"查到VID值对应的电压值。

3，用万用表测试CVDD的平均电压，看它是否满足上述电压值。注意，要在DSP电源输入管脚测电压，不要在电源模块输出点测电压，因为它们之间有压降。

4,用示波器长时间监测CVDD的波动，建议波动范围不超过3%。

0 chao x 11 年多前回复 Brighton Feng

Prodigy 110 points

你好，这个程序是原版没修改的，我只改了参数，把它配成150MHz 我上午测试了AVDDA2(DDR. PLL的电源)在我的DDRCLKOUT输出异常时，AVDDA2还保持为1.8V 在调试核电压时，就算MAIN PLL倍到1G的时候异常，核电压也稳定在1.04V，我如果只需要核工作在500Mhz，是不是就可以先不考虑核电压的问题了。不知道您看了我对DDR PHY的配置吗，按我那样理解是否正确？