自制6678板子 Leveling通过但是写入数据失败。

shiyan sun

Other Parts Discussed in Thread: CDCE62005

TI的工程师您好

目前手里一块自制的6678的板子，DDR芯片为K4B2G1646C-HCH9（与6678EVM相同），时钟芯片CDCE62005,输出CORECLK=100MHZ DDRCLK=66.667MHZ，其他时钟暂时关闭，CVDD使用模块电源，固定1.1V供电，加载的GEL文件为EVM6678l.GEL。registe cal表格中的寄存器数据没有改变，因为使用的DDR颗粒与初始表格完全相同（64bit带ecc），PHY cal表格数据根据自己的走线进行了相应的修改，目前发现了以下问题：

1、DDR时钟最高设置为1033MHZ （PLLM=93 PLLD=2），再高的话就会出现“DDR test fail”提示，说明GEL文件中DDRtest测试没有通过，通过VIEW看DDR中的数据也都是乱码，但是观察0x21000004寄存器数据为0x400000004，说明Leveling通过了。

2、PLLM=51 PLLD=1时倍频为（51+1）/（（1+1）*2）=13倍，GEL正常加载，没有问题。但是当PLLM=12, PLLD=0时候也是倍频13倍，GEL文件不能正常加载，出现“向0x80000004写入数据失败的提示”，同样的频率，PLL设置不同为什么会出现不一样的现象？

3、EVM中ECC芯片没有焊接，但是我的板子上焊接了。我从register cal表格中可以找到这些寄存器的值，但是6678GEL中只是定义了这些数据，但没有使用它们，求问使用ECC相比于没有ECC在设置的时候需要多设置哪些东西，如果我焊接了但是不使用ECC是否可以，这时的DDR寄存器设置是否就与没有ECC相同了

希望有专家能帮忙解决下，谢谢！

11 年多前

0 Brighton Feng 11 年多前

TI__Expert 5125 points

首先，C6678不支持CVDD固定电压，在DDR初始化之前，CVDD必须根据VCNTL[3:0]的输出控制被调整到要求的电压。

（PLLM=51 PLLD=1）和（PLLM=12, PLLD=0）不能得到相同的倍数吧？

如果寄存器配置没有使能ECC，则ECC存储器焊不焊对你的测试没有影响。

另外，C6678上的ECC功能有诸多限制，如必须按64-bit对齐访问等，所以不太实用，一般不建议用。TI 下一代，KeyStone 2系列，在这方面有改进。

0 shiyan sun 11 年多前回复 Brighton Feng

Intellectual 715 points

Brighton Feng 你好！非常感谢你的答复

首先这个不支持固定电压是什么意思呢？是CVDD如果使用固定电压会出现什么问题么？目前我的板子虽然使用了固定电压的CVDD，但是只要DDR速率设置在一定的频率下，读写内存的操作完全正常（DSP其他部分还没有使用），我自己编写了一个从0x80000000开始写入4000万字节，然后再读出来判断是否读写相同的程序，这个程序大概1s运行一遍（1分钟52次），这个程序连续运行了半个小时也没有问题。

第二，我的DDR频率计算确实有问题，感谢提醒。经过我的测试之后发现PLLM PLLD设置不同值，只要最后倍频系数一样就不会有影响。但是通过实验发现，我的倍频系数是在某些区间内正常工作的，具体细节被我写在附件内。我想问为什么会出现这样的结果呢？

还有Smartreflex是根据运算量实时调整CVDD的值么？我看社区有人回复说Smartreflex只在上电复位之后配置一次。

麻烦您帮忙解答下，谢谢！

0 Brighton Feng 11 年多前回复 shiyan sun

TI__Expert 5125 points

CVDD固定用1.1V不能保证所有器件都能稳定工作，而且对芯片的功耗，可靠性和寿命都会有影响。

C6678的CVDD确实只在解复位的时候调整一次。

C6678 DDR3的速率范围是800MTS～1333MTS. 配置PLL改变速率的同时也需要修改其它速率相关的寄存器，比如刷新率...

你可以用下面链接中提到的测试程序测试来做严格的测试:

http://www.deyisupport.com/question_answer/dsp_arm/c6000_multicore/f/53/t/47664.aspx?pi2132219853=1

0 shiyan sun 11 年多前回复 Brighton Feng

Intellectual 715 points

你好谢谢你的回复

DDR的寄存器调整我都会，但是如果我的DDR频率不在800 1066 1333 1600等速率的时候，寄存器的值应该如何调整呢？从我的附件也可以看出来，我的频率的设置是在一个区间以内都可以使用的（我的刷新率等寄存器设置是在1333MHz的，依据register cal excel）

对于那个测试文件，我使用了其中的memory test历程跑了一下，最后提示我13 passed 0 failed 这样就是通过了么？在这个历程中我发现DDR时钟的频率可以设置到667MHz(文件默认设置就是10倍)，但是我的主频却不能设置为10倍频，只能跑500MHz（以上的13passed就是在核心频率500MHz测试的），如果再高就会出现Core 0 Power failed提示，这是因为CVDD不正确吗？