6713B SDRAM

你好，FLASH运行与仿真器调试还是有差别的。建议烧写完后，load symbole单步调试一下程序，看一下与仿真情况下有哪些不同。

程序烧到FLASH中，启动后是将程序搬到SDRAM中运行的。（程序不是在FLASH中运行）

这是我的CMD文件

-stack 0x1000

-heap 0x1000

-c

-x

MEMORY

{

   INT:           o = 00000000h   l = 00000200h /*增加中断向量段*/    

   BOOTRAM:       o = 00000200h   l = 00000200h /*引导代码段*/

   IRAM:          o = 00000400h   l = 0000FA00h /*应用程序运行地址*/                          

   SDRAM:       o = 80000000h   l = 04000000h /*外部SDRAM地址这个没有用到*/

FLASH_INT:     o = 0x90000000  l = 00000200h /*中断向量段在Flash中的位置*/

   FLASH_BOOT:    o = 0x90000200  l = 00000200h /*引导代码段在Flash中的位置*/

   FLASH_REST:    o = 0x90000400  l = 000F0000h /*应用程序在Flash中的位置*/

}

SECTIONS

{

   .vectors : load = FLASH_INT, run = INT /*增加中断向量段的加载及运行地址定位*/

.boot_load : load = FLASH_BOOT, run = BOOTRAM/*BOOTRAM  */

   /* Initialized User Code Section */

   .text   : load = FLASH_REST, run = SDRAM/*IRAM */

/* .text: {} >IRAM | SDRAM*/

    LOAD_START(_text_ld_start),

    RUN_START(_text_rn_start),

    SIZE(_text_size)

   /* This is also a special initialized data section, which could stay

      in ROM, however probably not desirable, due to Slow ROM access times.

      const values never change, by definition. */

   .cinit    > FLASH_REST

/*  

   .const      >       IRAM

   .stack      >       IRAM

   .bss        >       IRAM

   .data       >       IRAM

   .far        >       IRAM

   .switch     >       IRAM

   .sysmem     >       IRAM

   .cio        >       IRAM

*/

   .csldata > SDRAM

   .stack >   SDRAM

   .far >   SDRAM

   .tables >   SDRAM

   .data   >   SDRAM

   .bss >   SDRAM

   .sysmem >   SDRAM

   .switch >   SDRAM

   .cio    >   SDRAM

.const >   SDRAM

}