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6672 emif16 nand flash 烧写问题

Ocean Lee
Prodigy 140 points
板子上用的是6672 。emif外连接一个nand flash。电路与开发板一致。板子上没有DDR3。用MCSDK 中 NANDWRITER_EVMC6678L烧写，加载.bin文件，运行后出现“nand writer utility version 01.00.00.01” 然后就没下文了。同样的步骤在6678的开发板上可以完成。请问: 1:6678和6672烧写完全一样，还是有部分程序或文件需要修改？ 2:没有ddr3时，烧写有什么不同？ 问题比较另类，望论坛大虾给点提示，小弟感激不尽！
  • 0
    TI__Guru 61135 points

    Nand flash writer默认需要烧写的数据是预存于0x80000000开始的DDR，如果没有DDR，可以修改数据源存储的地址到SL2或者LL2试试。

  • 0 回复 Andy Yin
    Prodigy 140 points

    十分感谢您的回答，已经按照您的建议进行了修改，但是烧写程序在运行的过程中依然存在问题，具体如下：

    当程序运行至nanflashwrite.c中的

    #if !(defined(_EVMC6657L_) )

         p_device = platform_device_open(PLATFORM_DEVICE_NAND512R3A2D, 0)

    时，程序会跑飞，但是相同的程序和步骤在EVM6678L中可顺利运行。

    在单步运行程序过程中，观察汇编窗口，该段程序在6672和6678中的地址是一样的，请问是什么原因。

    十分着急，万分感谢！

  • 0 回复 Ocean Lee
    TI__Guru 61135 points

    运行上面的device open函数有相应的打印信息吧，可以根据打印信息对照C:\ti\pdk_C6678_1_1_2_6\packages\ti\platform\evmc6678l\platform_lib\src下面的源码看到底是哪一步出的问题。

    你的板卡设计的main PLL输入时钟、及选择的flash类型都是一样的么。

  • 0 回复 Andy Yin
    Prodigy 150 points
    谢谢Andy Yin1的回答。 1、板卡上main pll 的输入为coreclk,实测为100mhz，时钟部份设设计与开发板一致。nand flash与dsp的连接和flash型号与开发板一致。 2、烧写程序曾经有两次运行提示出现错误17和35，后来每次运行至platform_device_open()程序便跑飞，除了最初的版本号外无任何提示信息。 期待您的回复，万分感谢！
  • 0 回复 ping liu1
    Prodigy 140 points
    另发现，在开发板上执行到platform_device_open时，连接flash的ce0有下拉，并且返回了flash的manufacture code 为20h和device code 为36h，而我的板子上现在可以执行platform_device_open 了，但执行时ce0并无反应，提示错误17，对应为the flash routines did not recognize the flash manufactute，且未返回flash的信息，指针变量p_device成员变量value 栏全部为error:Memory map prevented reading of target memory at 0x00000002开始，每个地址增加4。ce0为高，且无反应应该是没有去读flash 的信息。搞不清状况了，跪求指点！
  • 0
    Intellectual 925 points

    这个问题我也碰到了，也是运行后出现“nand writer utility version 01.00.00.01” ，然后就没下文了。

    看我发的帖子吧

    http://www.deyisupport.com/question_answer/dsp_arm/c6000_multicore/f/53/p/72634/176014.aspx#176014

  • 0 回复 xu chen
    Prodigy 140 points
    我看了emif的user guide 里面说emif 可以接nand 更nor，但只说了一句nor可以用来boot程序。另外又看了上面讲的andy yin写的applocation report 说nand boot必须通IBL来启动。所以依我来nand boot 必须要经过ibl才行。另我觉得那个applycation report里最后讲的在evm板上实现ibl 实例的最后一步"将跳线设置为IBL NAND FALSH BOOT"应该指设置为I2C BOOT 模式。个人理解，希望有问题互相交流帮助！
  • 0 回复 Ocean Lee
    Intellectual 551 points

    您好！

            您所说的emif 16 NOR FLASH boot，是指通过EMIF16接口直接跟并口NOR FLASH连接（数据线，地址线和控制线），不需要I2C连接EEPROM。那这样上电加载程序的方式有什么需要注意的地方吗？对NOR FLASH的大小有限制吗？附件中的图是NOR FLASH 上电加载的电路连接图吗？

            非常感谢！