OMAP-L138读取DDR2错误

     上面有一点说错了，CS3是NANDFLASH的片选，DDR2芯片的CSn信号是接到OMAP-L138的mDDR/DDR2模块上的CSn信号上的，这点没错。

另外，我的其他配置如下：

       1，我使用两片8位的DDR2组成16位的，参考OMAP-L138 datasheet 的接法(page129)。

       2，我用OMAP-L138的开发板试了下，由于开发板上的是一片mDDR，我依据mDDR的型号改了一下上面几个寄存器的值，然后发现读写正常。说明我的基本配置应该没有问题（即PLL，PSC等模块）

      3，我现在尝试写20个地址的数据，第一个地址写0x0000，第二个写0x0001，以此类推，写进去之后我再读出来的时候就变成了0x00004000，0x00004001，0x00004002.。。。。。，也就是说多了个4，如果我写的是32位的数或者8位的数，那么这个多出的4就会出现在别的地方，例如写32位的0,1,2,到DDR2，读出来的话变成了0x40004000，0x40004001，0x40004002.。。。。。，请问这是什么原因？

从这点看，像是数据线D14短路了。

直接在CCS memory window里查看内存，刷新显示看内容是否会改变。如果改变则说明DDR配置不对。如果不改变，还是固定多一个4，则说明D14真的被拉死了。量一下看与哪里短路了。

从这点看，像是数据线D14短路了。

直接在CCS memory window里查看内存，刷新显示看内容是否会改变。如果改变则说明DDR配置不对。如果不改变，还是固定多一个4，则说明D14真的被拉死了。量一下看与哪里短路了。

     谢谢，但是如果是D14短路了的话，我一写入数据就读出来就应该也是错的，但事实是如果我每写一个数据就读一下，那样的话是没问题的，就是写一堆数据之后再读的话，就会出错。而且出错也不一定就是前面加了个4的情况，还有前面都是F的情况，所以我认为应该跟某根地址线没关系。

    现在我的CCS查看内存方面好像有点问题，全部都是显示的问号，还没解决，所以不能看内存的变化。但如果是DDR得配置不对，那应该是哪些方面的配置为题呢？是我提到的上面那5个寄存器吗？还是其它的配置？

   非常期待您的答复。

目前我的情况有了新的进展，在经过排查后问题逐渐明晰了：

1， 目前的情况是我在写20个数据后，在写完后就开始读的话，读出来的第一个数会有错，但后续的都正常。如果我在写进20个数据后，在延迟一会儿，哪怕延迟很小的一段时间吗，读出来的数据都正确。我认为应该是读写转换时间太短了的缘故，我试着改了寄存器SDTIMR1中的T_WTR位，但没效果，所以想问一下，还有那些其他位是影响读写转换时间这一项的？我的寄存器设置如上面所说，频率依旧是150Mhz。

2， 我目前是用的两片8位DDR2来组成16位的DDR2，在寄存器的哪些位还需要专门设置这一点？

3， DDR2芯片有一些寄存器在上电的时候需要设置，就是一些模式寄存器什么的，那些寄存器是我在程序中专门对其进行设置还是我设置了上面那5个寄存器之后就可以了，程序会自动根据我的这5个寄存器的设置对DDR2芯片内部的寄存器进行设置？

非常期待您的答复，谢谢！

1. 用附件的工具重新核算一下DDR的参数。

2. 将DDR_CLK降频试试。

谢谢！

1，我上面的5个寄存器配置就是用这个工具配的，

2，考虑到在1.2V电压下DDR2/mDDR模块的时钟在125~156Mhz内，我降频到133M，但没用，结果还是一样

3，你能回答我上面提出的第三个问题吗？

非常感谢！