请问C6678外接哪个DDR3芯片可以达到8GByte容量,并且此时的ROW ADDRESS和COLOMN ADDRESS的地址宽度分别怎么设置的?
我们使用8片三星 x16 8Gbit容量的DDR3芯片K4B8G1646B,发现容量只能访问到4Gbit,所以总容量只有4GB。
能否推荐一个具体型号的DDR3芯片,并且测试过的,可以达到8GB容量?
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请问C6678外接哪个DDR3芯片可以达到8GByte容量,并且此时的ROW ADDRESS和COLOMN ADDRESS的地址宽度分别怎么设置的?
我们使用8片三星 x16 8Gbit容量的DDR3芯片K4B8G1646B,发现容量只能访问到4Gbit,所以总容量只有4GB。
能否推荐一个具体型号的DDR3芯片,并且测试过的,可以达到8GB容量?
你好,文档上是说能够支持8GB,这我也不怀疑,现在我是想问具体芯片型号,我查了几个大厂家的DDR3 SDRAM,好像没有能支持的芯片,C6678仅仅是理论上支持吗?
能否给我推荐一个DDR3 SDRAM颗粒的型号?!
请咨询DDR厂商,如美光,三星,Hynix...
下面是我在美光网站找到的信息,其它公司肯定有类似产品:
http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram/8Gb
谢谢Brighton Feng。
目前8Gb的好像都是双rank的芯片,你给的链接也是,6678也支持双rank的芯片吗?
DDR控制器才有双Rank概念吧?C6678的DDR控制器可以支持双rank。请仔细阅读文档。
没听说DDR memory本身有双rank的限制,一颗DDR memory可以接到控制器的rank 0,也可以接到rank 1.
最近也在设计6678的板子,美光的料能到8个GB的确实采用了双RANK设计(至少美光的datasheet是这么叫),一个料里面集成了2个4GB的die,其它比较有名的厂商或者采用了类似设计,或压根没有8GB的料,我也是花了时间找的如:micron,sumsung,hynix,erpida(美光收购了),ISSI,sapansion这些都看了。
另外,由于美光8GB的料虽然是双RANK,但是不像DIMM,它只有一个时钟,所以我按照双RANK的接法来做的原理图,只不过DDR3控制器的两组时钟输出只用的第一组,不知这样可好?请指点。
KeyStone I devices can support up to 2 ranks but they do not support address mirroring. Therefore, this allows twin-die devices using 2 ranks. They do not support dual-rank DIMMs or SO-DIMMs that require address mirroring support.
KeyStone II devices do not have any of these limitations. They support up to 2 ranks and they can support address mirroring. The 2 ranks can be in separate SDRAM packages or in twin-die packages. Please note that there is also the Keystone II DDR3 Initialization Application Report (SPRABX7).
allen yin,谢谢你的回复,我知道6678本身支持双rank,我现在的担心是,双rank的DDR颗粒本身只有一个clk输入,但6678有
DDRCLKOUTP0 A12 OZ
DDRCLKOUTN0 B12 OZ DDR EMIF Output Clocks to drive SDRAMs (one clock pair per SDRAM)
DDRCLKOUTP1 A16 OZ
DDRCLKOUTN1 B16 OZ
我现在把DDR颗粒的clk管脚与DDRCLKOUTP0 (A12)DDRCLKOUTN0 (B12)连接,而DDRCLKOUTP1(A16)DDRCLKOUTN1 (B16)处于悬空状态,4片MT41K1G16DGA-125it组成一组实现8GB,当访问RANK2的时候会不会DDRCLKOUTP0 没有时钟?或者双rank必须是两个时钟都要用?