我们自己做了一个板子,配置是TMS320C6748和一颗DDR2(型号是紫光的SCB18T2G160AF-25DI),
DDR2的等长控制了,但是阻抗单端控制的是40ohm,差分控制的是80ohm,现在即使DSP降频,DDR读写也会报错,
DDR2这么敏感吗?还有什么补救措施吗?谢谢
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我们自己做了一个板子,配置是TMS320C6748和一颗DDR2(型号是紫光的SCB18T2G160AF-25DI),
DDR2的等长控制了,但是阻抗单端控制的是40ohm,差分控制的是80ohm,现在即使DSP降频,DDR读写也会报错,
DDR2这么敏感吗?还有什么补救措施吗?谢谢
DDR2内存对于时序和信号完整性非常敏感。可能是由于信号完整性问题引起的。
补救措施:
1. 时序调整:确保时序满足DDR2规范要求,包括时钟频率、延迟和预充电等参数。
2. 噪声抑制:检查电源和地线的噪声情况,确保供电稳定。使用适当的电源滤波器和终端电容来减少噪声。
3. 信号完整性:确保信号传输线路的阻抗匹配和信号完整性。检查信号线路的长度、布局和层次结构,确保差分信号线路的阻抗匹配。
4. 终端电阻:检查差分信号线路的终端电阻设置是否正确。确保单端控制的终端电阻为40 ohm,差分控制的终端电阻为80 ohm。
5. 电源噪声:确保电源噪声不会对DDR2信号造成影响。使用电源滤波器和终端电容来减少电源噪声。
6. PCB布局:优化PCB布局,减少信号线路的串扰和噪声干扰。确保DDR2芯片和控制器之间的距离尽可能短,并使用适当的层次结构和地面层。
您好
对于TMS320C6748搭配DDR2的单端信号,通常建议将阻抗控制在约40-60 ohm之间。对于差分信号,通常建议将差分阻抗控制在约80-120 ohm之间。
关于时序调整,通常可以通过软件来进行调整。
为了增强DDR接口的驱动能力,可以考虑以下几个方面:
- 确保DDR信号线的长度匹配和阻抗匹配,减少信号的反射和串扰。
- 调整DDR控制器的驱动强度设置,以提供适当的信号驱动能力。
- 考虑使用终端上拉/下拉电阻来提高信号的稳定性和驱动能力。
- 确保供电系统能够提供足够的电流和稳定的电压给DDR。
您好,为您提供技术手册:www.ti.com.cn/.../spruh79c.pdf