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求助!C6747 EMIFB SDRAM工作不正常

MajorWang
Intellectual 923 points


按照C6747 BOOTLODER文档中的相关介绍，使用AIS BIN文件格式，可以通过配置EMIF CFG/TIM1/TIM2/RFC四个寄存器，正确配置后，即可通过开机引导方式完成SDRAM的初始化工作。

但是现在我已经按照C6747手册及SDRAM芯片手册配置好时序，但是SDRAM访问不成功。求教大侠指点一二啊。

使用的是美光的MT48LC2M32B2 6A3型号SDRAM，最高支持167MHz，目前我们硬件上是通过EMIFB与SDRAM连接，其中EMIFB时钟频率配置为100MHz.

芯片共4个Bank，2K行地址，256列地址，

相关时序如下图：

根据上图中时序的描述和我EMIFB频率为100MHz，我配置寄存器参数如下：

SDRAM SDCFG Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00000000 00000001 10000100 00100000 == 0x00018420

IBANK_POS:0x00, MSDRAM_ENABLE:0x00, BOOT_UNLOCK:0x00, SDREN:0x01, TIMUNLOCK:0x01,
NM:0x00, CL:0x02, IBANK:0x02, EBANK:0x00, PAGESIZE:0x00

--------------------------------------------------------------------

SDRAM SDTIM1 Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00001010 01001001 00100001 01001000 == 0x0A492148

T_RFC:0x05, T_RP:0x01, T_RCD:0x01, T_WR:0x01, T_RAS:0x04, T_RC:0x05, T_RRD:0x01

--------------------------------------------------------------------

SDRAM SDTIM2 Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00111000 00000110 00000000 00000100 == 0x38060004

T_RAS_MAX:0x07, T_XSR:0x06, T_CKE:0x04
//T_RAS_MAX = (tRAS_MAX/ SDRAM refresh rate) - 1) = 120k ns / 15.625us = 7.68 -1 = 7

--------------------------------------------------------------------

SDRAM SDRFC Reg:
[31--24] [23--16] [15--08] [07--00]
00000000 00000000 00000110 00011011 == 0x0000061B

LP_MODE:0x00, MCLKSTOP_EN:0x00, SR_PD:0x00, REFRESH_RATE:0x61B

//REFRESH_RATE=EClk*Tref/4096(rows) = 100Mhz*64/4096 = 1562.5 = 1563

AISgen中，ROMID检查后，读取后为D800K005，CPU输入时钟为25MHz，我配置的DSP工作频率为300MHz，SDRAM连接在EMIFB上面，配置频率为100MHz，其它LPSC、PINMUX主要是配置了一下SPI0、SPI1、EMIFA、EMIFB、GIOP5器件的相关引脚及电源打开。

硬件引导方式为SPI0 NorFlash，已经验证Boot引导成功，在线Debug读取PLL、EMIF等器件寄存器，已经按引导方式配置完成。

EMIB寄存器各参数与AISgen中参数一致。现在通过地址直接访问的方式发现SDRAM读写不正确，通过CCS memory browser发现SDRAM地址中数据为零，直接在CCS memory browser中修改SDRAM地址也不成功。

通过将EMIB地址线等等配置成GPIO方式，拉高拉低的方式验证，CPU与SDRAM管脚连接没有问题。

求教各位，是我在AISgen中参数EMIFB寄存器参数配置不正确？还是什么原因导致SDRAM访问不正确的？还有什么办法可以排查问题出在哪里？

谢谢大家的帮忙！！！

  • 0
    Prodigy 130 points

    帅哥，你自刷新SDCR,SDCR2 配置了没有，还需要配置行列地址 bit数

  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    SDCR和SDCR是什么？上面就四个寄存器需要配，没有其它的。另外说的行地址，至少对于C6747来说是不需要配的，除非我使用的是Mobile sdram，才会通过SDCFG2来配置行地址。列地址的话我在上面SDCFG里有配置项呢，2:0Bit pagesize就是干这个的。256WORD PAGES

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points

     我用的138，是需要配SDCR,SDCR2,里面的 bank数，page数，行地址数，列地址数都要配。另外 PSR里面也要把DDR打开；不能处于睡眠模式。

  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    看了下OMAPL138的文档，与C6747寄存器方便有一点点区别，但是区别不大，寄存器的话，SDTIMR、SDSRETR是用来配置时序的，SDRCR配置刷新，SDCR配置BANK，PAGESIZE等等的。但是里面没有发现有地方需要配置行地址的寄存器BIT位。

  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    另外有一点不太明白你说的，为什么DDR也要打开？难道你用的是DDR SDRAM？

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points

    我说的是 PSR (power sleep register)里面的 ddr需要 关掉睡眠模式。

  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    额。我的里面没有DDR，电源管理里没有DDR项，我的EMIFB工作正常。

    不过真正的问题今天刚发现，查看原理图的时候，发现CAS，RAS，WE三个信号线连接错了，晕死了快。

    下午总算是有数据了。不过时序看起来不太对。每次读写32位数据都需要等待一段时间，大概1s左右这样操作，数据才能正常。还得继续调整时序了。

  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    有个问题还需要请教一下啊，芯片手册里写着Refresh count是4k，Row addressing是2K，Refresh period(4096 rows)最大时间是64ms.

    看C6747里的话，我的连接方法，寻址空间是32MB（上图标黄的那条），但是我的SDRAM实际范围是8MB，那我要计算Refresh Rate的话应该如何计算？

        The value of this field may be calculated using the following equation:
    REFRESH_RATE = SDRAM clock frequency × SDRAM refresh rate
    Assuming 64 ms (tREF), 8192 rows (213; 13 address lines), SDRAM refresh rate = 64/8192 = 7.8 μs.
    Therefore, the following results assuming 133-MHz SDRAM clock frequency.
    REFRESH_RATE = 133 MHz × 7.8 μs = 1037.4 Therefore, REFRESH_RATE = 1038 = 40Eh

    是应该按照：REFRESH_RATE = 100MHz * （64ms/4096）= 1562.5 = 1562 = 61B？
    还是说因为我的SDRAM只有2K行地址，刷新4K需要64ms,CPU实际上会自动刷新8K行地址的？我的实际刷新率应当至少是1562/2？

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points

    应该是乘以2,

    意思就是 多少个时钟周期过后，sdram自刷新一行，64ms内，保证所有行都能进行一次刷新。

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points
    另外，行地址位数也应该配的，不配有个默认值，138是9
  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    我的SDRAM 刷新4K行地址需要64ms，So，你的意思是，我应该保证在 64ms内可以完成EMIFB行寻址的8K地址？

    那原来我的公式是：REFRESH_RATE = 100MHz * （64ms/4096）= 1562.5 = 1562 = 61B？

    现在应该改成：REFRESH_RATE = 100MHz * （64ms/8192）= 1562.5 = 781.25= 30D？

    还是你的意思是：REFRESH_RATE = 100MHz * （128ms/4096）= 1562.5 = 781.25= C35？

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points

    REFRESH_RATE = 100MHz * （64ms/4096）= 1562.5 = 1562 = 61B 这个应该是对的，不过要提醒你，这个值只能偏小，不能偏大，可是太小又影响效率。

    另外那个行地址线 bit数，你也需要配的。

  • 0 回复 yuanzhou yu
    Intellectual 923 points

    现在的问题有点奇葩了，Refersh_rate要配成2*TRFC了，其它时序参数需要在正确参数的基础上延迟三个CLK才能在某些时候读写成功。

    难道使用SDRAM给定参数值配置后是不可用的？还是因为我们的CAS，RAS，WE是飞线的原因导致信号质量太差？或额干扰？或者因为各引脚上的排阻不合适导致的。

    不知道仁兄硬件电路上，EMIF与SDRAM之间加排阻了吗？还是直连的？不知道排阻或飞线会对数据传送有多大影响？

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points

    飞线要尽可能的短，长了会增大延时，会影响时序的，硬件电路 你参考 官方的 demo板即可。

    RAS,CAS的 时序你也需要配，另外DDR SDRAM可能有几个档，不同的工作频率 参数可能不同。就是说100M,150M,200M,333M的参数是不同的。

    你的表格里有说明的。 你用的是100Mhz，貌似应该用最后那个档，-7，而且值确实要比他给你提供的值 适当调整，我的想法 供你参考

  • 0 回复 MajorWang
    Prodigy 130 points

    你说配成Refersh_rate要配成2*TRFC 是没有道理的，只能说是巧合， 可能你的算自刷新的周期应该用那个 16ms去算，不能用64ms, 他这里可能是4个bank这样来的。