C6657 EMIF的ce0外接 nandflash,型号MT29F8G08ABBCAH4,细节如下图,每页共(4K + 224)byte。
参考evmc665x的官方nand例程,选择EMIF的4bit ECC为ce0,每512个字节读写一次,读写一页由例程的4次变为8次。
发现当断电重启后,读nandflash第一次数据出错时,软件纠错读取NANDFSR寄存器进行判断时,会进入 over 4 bit error分支,即下图的case 1。
但自行判断读到的数据和写入的数据时,发现只有1bit错误,但硬件判断出错导致纠错失败。想请问一下会是什么原因导致的?