问题描述：
设备采用美光的NandFlash 512M大小作为存储介质，生产好一批机器，放在库房
过一段时间拿出来，就有个别机器会开不出来，查看调试信息，发现NandFLASH
中存储内核系统的数据区内容发生变化，导致校验位错误。有个别机器拿到客户那里
也发生开机开不出来的问题。重新烧写片子后，又可以正常启动，反复重启也能正常工作。
原来，偶尔碰到过这个开不出来的现象，没在意， 那么现在用户那里碰到这个问题，就得尽快找到原因了。
问题的根本现象是，Flash中的数据发生变化了，启动时，内核数据校验出错。
Net: cpsw
Hit any key to stop autoboot: 0
Card did not respond to voltage select!
Booting from nand ...
HW ECC BCH8 Selected
NAND read: device 0 offset 0x280000, size 0x360000
3538944 bytes read: OK
## Booting kernel from Legacy Image at 80007fc0 ...
Image Name: Linux-3.2.0
Image Type: ARM Linux Kernel Image (uncompressed)
Data Size: 3328824 Bytes = 3.2 MiB
Load Address: 80008000
Entry Point: 80008000
Verifying Checksum ... Bad Data CRC
ERROR: can't get kernel image!
U-Boot#
我前天回到公司，拿出20台机器，测试，目前这个问题还没重现。
这批设备，当时是先烧写好Flash的内容，再去回流焊的，当时焊接回来后，里面的数据被破坏了，就重新烧写并测试后入库了。
不知道这个过程，对芯片质量有无影响。
问题：
那么是什么原因导致设备放置一段时间后，并重新开机时，内核数据存储区的数据发生变化？
如果是软件逻辑问题，应该是具有普遍性，或者规律性，应该能反复重现, 况且，
软件是在内存运行，对外部数据的修改是在文件系统数据区的，手也伸不到内核存储区。
如果是FLASH质量问题，那么概率好像高了些？
