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Keystone 关于EMIF16和DDR3问题

1)EMIF16每个CE空间到底可以连接多大容量的SRAM/NOR FLASH?仅仅就是按照地址线去计算的吗,32MB?

NAND FLASH到底是支持一个CE空间64MB还是256MB?

   2)通过EMIF16的NOR FLASH进行BOOT时,支持的是8bit还是16bit总线,手册中并没有明确说明,我在硬件设计时无法选择。

   3)DDR3的参考时钟外接50MHz时,可以工作于DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333和DDR3-1600吗?如果不行,那么多少MHz的时钟可以支持这四种速率?

  • A total of 256M bytes of any of these memories can be accessed at any given time via four chip

    selects with 64M byte access per chip select.

    关于EMIF16的信息请参看文档:KeyStone Architecture External Memory Interface (EMIF16) User Guide

    下载链接:www.ti.com/.../sprugz3a.pdf

    The DDR3 interface can operate at 800 Mega Transfers per Second (MTS), 1033 MTS, 1333 MTS, and 1600 MTS.

    具体参看文档:DDR3 Design Requirements for KeyStone Devices

    下载链接:www.ti.com/.../sprabi1a.pdf

  • 关于DDR3,我的问题是硬件设计的问题,在做硬件设计时,DDR的外输入参考时钟为50MHz,通过内部锁相环设置是不是这几种速率都可以达到?

  • 当然不是了,如果你要工作在某一种频率下,你必须计算好要输入的频率。相关换算请认真阅读有关文档。

  • 在C6678的数据手册中对DDR3 PLL是这样描述的

    可以通过PLLM和PLLD来设置倍频和分频因子,PLLM是13bit,那应该是0~8191,PLLD是6bit(0~63),可以按这个任意设吗?

    如果可以的话,那么输入50MHz就可以产生800/1066/1333/1600MHz,倍频/分频分别是16/1,64/3,80/3,32/1。

    但是按照64/3的设置,倍频后锁相环的输出需要达到3200MHz,80/3的话,锁相环输出要达到4000MHz,PLL支持吗?

    按一般PLL去理解,锁相倍频的输出是有限制的,它是一个范围,比如1000MHz~2000MHz,但是这个范围值没有一个手册里给出,是没有限制吗。

    DSP中的其它PLL(Main/SRIO/HyperLink/PCIe)也有这个问题。

  • 你可以看到PLLD的描述是for the reference divider,也就是说50M时钟进来要先被PLLD分频,然后和PLLM相乘,和PLLM相乘的结果不能超过3.4G,最后2分频输出,所以只要你们的设计能满足该要求就可以了。

  • 示意图不是先倍频后分频吗?你是否确定是先分频后倍频?

    哪个手册里描述了PLLM相乘的结果不能超过3.4G?

    另外,其它外设(Main/SRIO/HyperLink/PCIe)的锁相环有什么限制,哪个手册里有描述?

    谢谢!

  • 刘老师:

    您好!

    可以确定是先分频后倍频。该示意图需要修改。DDR PLL 3.4G限制也应该写入文档。我们会继续推动TI文档质量的提升。

  • 谢谢刘工,其它的锁相环也是先分频后倍频吗?频率限制是多少?

  • 你可以看到,所有带有PLLD(Main/DDR3/PASS)的锁相环有关PLLD的描述都是for the reference divider,所以都是先分频再倍频。对于SRIO/Hyperlink/PCIe 的SERDES,只有PLLM,要保证PLLM x ref_clk的输出在3.125/2G ~ 3.125G之间即可,然后调整对应的linkrate值来得到需要的linkspeed.

  • 谢谢!

    如果这些能在文档里面体现会更好一些。