采用C6416T的EMIFB口外挂一个flash,用合众达的测试程序测试flash,
在用flash_write 函数写flash时,WE信号一直是高电平,但是CE和OE一直都是脉冲信号,数据写不进flash;
在用flash_read函数读flash时,WE信号一直是高电平,但是CE和OE一直都是脉冲信号,能有效的读出flash中的数据;
为什么C6416T发出的WE信号一直都是高电平?大哥大姐们帮忙分析分析;
PS:EMIFB配置成8位异步接口,CE1CTL:0xffffff0f; CE1SEC:0x00000002