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nand flash中有坏块时,每次以烧写131072个字节作为一个循环,烧写很多次,原因?



我使用的是am335x,使用的是uboot是TI官网的SDK6.0开发包,我做的功能是在uboot阶段,通过SD卡烧写nand flash,并实时通过串口打印烧写的百分比。

现在的问题是,当nand flash有坏块时,假如要烧写50M的大少到nand flash里面,就会多次调用nand_write()函数,每调用一次nand_write()烧写131072个字节,假如没有坏块的话,就只调用一次nand_write()就将50M大少烧完,请问这是什么原因?

我是想在烧写的过程中实时显示烧写进度百分比,请问在有坏块的情况下,怎么确定烧写的百分比?