FDC2214: 测量瓷片电容精度很差

您好，

1、外接传感器有单端和差分 2种配置方式，具体见 datasheet 10.1.1 Sensor Configuration ，如下截图。

在您的应用中，应该使用单端测量；

2、这应该是示波器测量时引入了一些电感、电容等寄生参数造成的

3、测量的具体实施步骤可以再说明的详细一些吗？可以给出相应的接线图吗

4、FDC2214没有Shield 管脚，为了尽量减少外部物体的干扰，您是否做了屏蔽措施？

首先非常感谢Amy Luo的回答。

1.如果就是测量瓷片电容的容量的话，单端模式时接IN0A和GND之间，差分模式时接IN0A和IN0B之间，是这样吗？看图好像差分模式测量两个电容差。

看pdf文档差分模式电容计算公式如下：

单端模式电容怎么计算？

我用22pF电容接到IN0A和GND之间，用上述公式计算差不多比接到IN0A和IN0B之间时小了一半。

pdf文档中说单端模式测量范围大，是不是说单端模式，同等电容信号变化更小？

另外单端模式差分模式是否只是外部接法的不同，芯片寄存器并没有找到配置单端模式和差分模式的地方。

这里是说CHx_FIN_SEL设置为b01在差分模式时，可以测量传感器谐振频率在0.01MHz~8.75MHz之间；设置为b10，在差分模式接法时可以测量传感器谐振频率在5MHz~10MHz之间，在单端模式接法时可以测量传感器谐振频率在0.01MHz~10MHz之间。是这个意思吗？

2.现在调整了下读取时序，在500pF以内测量时差别不大，但是就和我问题4说的一样，测量10nF电容时，从示波器上查看的频率是350kHz左右，但是用fdc2214读取的数据却很大，按差分电容计算公式算出电容只有3.3pF。

3.不成线性是由我购买板子例程I2C时序有误造成的，现已改正，经测试在500pF以内线性良好。

4.我直接将10nF电容接到电路板端子上，中间没有连线，是不是不需要屏蔽。现在和官方开发板用的谐振电感电容一样，18uH和33pF组合。测量较大电容时是否需要改才可以测量，或者说测量不同电容值，板载谐振电感和电容选值是否有计算公式或者表格查询？

针对4，我尽量减小被测电容管脚，测量结果已经比较接近。电容接到IN0A和IN0B之间，被测电容管脚尽可能短可以测量10nF电容了，管脚稍长一点就错。如图，短管脚的测得9800pF，长管脚的测的200pF。但是用示波器查看，谐振频率是差别很小的。短管脚时读出频率和示波器基本相当，长管脚时差别非常大。另外接IN0A和GND之间电容测量比IN0A和IN0B之间小一半左右，增加到3~4个22pF电容时，再增加电容也测量不出来了。

1、是的，差分模式是测量两个电容差，需要连接两个电容；

单端模式的电容计算公式也是这个，使用一样的公式计算；

差分配置与单端配置相比，对于目标对象相同的距离变化，会导致更高的频率变化。因为是通过测量频率变化测电容，而距离与电容有关，因此也就是说电容一定的情况下，差分配置会比单端配置会产生更高的频率，因此单端模式测量范围大；

CHx_FIN_SEL参数指定了传感器谐振频率的分频器，使用分配器的主要原因是，如果FREF小于40MHz。FDC2214要求FREF至少比FIN快4倍。您可以使用分隔器来满足此要求。

需要使用公式9计算fSENSORx，使用单端和差分时，您是否按照 table 1进行配置 CHx_FIN_SEL？然后按配置的值计算fSENSORx

那么测量瓷片电容是应该接IN0A和IN0B之间，还是接IN0A和GND之间呢？

0x14: 0x2002

无论查分还是单端模式此处配置相同，计算方法也应该相同吧。但是接在IN0A和GND之间时，单端模式测量就会比差分时小不少。且超过100pF时就无法测量了。另外最不可理解还是在线长不同时，示波器测量频率一致都正确，而芯片测量频率在长线时就会差很多。

如果测量的仅是单个电容，那么应接IN0A和GND之间；